场效应管和BJT在工作过程中有很大区别，BJT的电荷载体是空穴或是被击出的少量“少子”，而场效应管的电荷则是多几个数量级的自由电子，“多子”。
J-FET晶体管
N沟道J-FET晶体管结构示意图
以N沟道J-FET来说明，结合J-FET的电路符号示意图可知，J-FET正常工作时，Ugs为负压，即Us>Ug，而Uds为正压，即Ud>Us。那么，这样一来管子里的两个PN结都加上了反压，而且由于Ud最大，PN结的反向电压增加，靠近漏极的耗尽层会更宽，结合J-FET结构示意图就可以看到阴影部分的耗尽层形态。
由于强大的反向电场作用，耗尽层中几乎没有载流子，是高阻区；夹在两个耗尽层中间的是有丰富自由电子的低阻导电沟道。那么沟道的电流大小就取决于，沟道两端的电压和沟道的电阻。而J-FET正是通过改变PN结上的反向偏压（栅极电压）来改变耗尽层的宽度，进而改变沟道的宽度和直流电阻，从而可以控制沟道电流。这样就可以组成J-FET放大器，如下图所示：
J-FET的电路符号示意图
图中J-FET的G、S之间接了反向偏置电流Eg，还有交流小信号源Us，在D、S之间接了漏极电阻Rd和直流电源Ed。当信号变化时，Id相应改变，Rd两端的电压也相应成比例变化。当Eg、Ed、Rd去到合适的值，这个电路就可以实现电压放大的目的。可以看到FET是电压控制型器件，由于正常工作时，GS之间PN结始终处于反偏状态，只有很小的反偏电流，其直流输入电阻很大，可以达到100~1000000兆欧姆。对于P沟道的J-FET来说，只是电源和偏置极性相反，注意Up（夹断电压）即使漏源间刚截止时的栅极电压也相反了。
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