在嵌入式产品设计中，许多都为电池供电或者USB接口供电。
当误操作使供电电压高于芯片工作电压时，就会导致芯片烧坏，带来严重的后果。
因此在电源的输入端到芯片的供电输入端，还是很有必要加一个过压保护电路。
当输入电压超过设定值，就切断电源，保护芯片不被烧坏。
下图为过压保护电路的原理图设计
设计电路过压保护的具体电压值，与稳压二极管（D4）的参数有关,本电路分析如下:
① 当输入电压高于7.78V稳压二极管击穿，R2-D4支路导通。
② D4-R4电路导通，拉低Q11 PNP三极管基极到GND,使三极管导通。
③ VCC_BAT电压由三极管的发射极流向集电极。
④ 因Q11-R9支路导通，使SI2301 P-MOS晶体管的栅极（G）为高电平，晶体管截止。
⑤ 因为晶体管截止，就导致Q1位置开路，从而切断系统的输入电压。
在本电路的实际运用中，对于输入过压保护的具体保护电压设计，与稳压二极管的参数有关，可根据稳压二极管的击穿电压的选择来设计电路。
