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四种类型LDO特性对比

2023-10-29

类型

NPN        

PNP    

N_MOS 

P_MOS 

拓扑

特性

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 要求输入电压至少比输出电压高 0.9V 至 1.5V；
 接地引脚电流大于 NPN-达林顿管，但小于 PNP-LDO 稳压器；
 需要一个输出电容器，但一般不像 PNP-LDO 那样具有特殊的 ESR 要求

 要求输入电压至少比输出电压高 100mV至 700mV；
 具有高于 NPN 型 LDO 的接地引脚电流；
 需要谨慎地选择输出电容器数值和 ESR 额定值

 要求输入电压高于输出电压（ 高出的幅度依据传输晶体管的 VGS要求）；
 接地引脚电流不随输出负载电流而变化；
 不需要任何的输出电容器（ 但为了动态响应更好还是使用一个）。

 要求输入高于输出电压（ 基于负载电流和传输元件的导通电阻）：
VIN>RDS(ON)×IOUT
 要求输出电压高于传输元件的 VGS 需求；
 要求谨慎地选择输出电容数值和 ESR 额定值；
 为了实现相似的 RDS（ on） 性能， PMOS 晶体管所需的晶片面积将大于 NMOS 晶体管；
 较大的晶片面积将影响定价，并有可能对性能产生影响。

缺点
 需偏置电压以上拉 N-FET；
优点
 N-FET 的导通电阻低于 P-FET；
 允许非常低的 Vin 和 Vout 数值；
 较低的输出阻抗可减轻负载极点的影响；
 可在采用小的外部电容器时保持稳定；
 低接地引脚电流（ 与负载无关）；
 高 DC 增益与令人满意的带宽。

 

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