这个是N沟道增强型MOS管的电路符号，
这个是P沟道增强型MOS管的电路符号，有时我们很容易把这两个符号弄混。
首先对于单个MOS管而言内部衬底和源极是接在一起的，所以我们看到的MOS管电路符号，源极和衬底是接在一起的，并且这个箭头处的电极为衬底。
NMOS和PMOS电路符号最大的差异就是衬底这个箭头的方向，对于NMOS管，箭头方向指向栅极，对于PMOS管，箭头方向背向栅极。
那么这个箭头的方向有什么含义呢？
其实这个箭头的方向就是MOS管内部衬底和沟道反型层间PN结的方向，由P区指向N区。
大家可以看这个N沟道增强型MOS管的示意图，沟道里面导电粒子是电子，所以导电沟道我们可以看成是N型的反型层，然后衬底是P型的，所以衬底和反型层间PN结方向由P指向N，也就是由衬底指向栅极方向，这也就不难理解NMOS管的电路符号的箭头方向是指向栅极的。
同理，对于P沟道增强型MOS管，衬底为N型，导电沟道为P型的反型层，所以衬底和反型层PN结方向由P指向N，也就是由栅极指向衬底方向，这也就不难理解PMOS管的电路符号箭头方向是背向栅极的。
然后对于NMOS管的体二极管，源极是体二极管的正极，漏极是体二极管的负极。
对于PMOS管的体二极管，漏极是体二极管的正极，源极是体二极管的负极。
耗尽型MOS管电路符号是这种，与增强型MOS管电路符号的区别就是源漏之间是一条直线，不像增强型MOS管的为三个小直线。
这是因为耗尽型NMOS注入了很多正离子，
耗尽型PMOS注入了很多负离子，即使在没有电压的情况下，导电沟道也是存在的，所以耗尽型MOS管电路符号漏源之间是一条直线。
