STM32—Flash读写详解

主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000，B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。

信息块：该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

闪存存储器接口寄存器：该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理，编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行，既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

闪存的编程和擦除

STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含 7 个 32 位寄存器，他们分别是：

FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)
选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
闪存控制寄存器(FLASH_CR)
闪存状态寄存器(FLASH_SR)
闪存地址寄存器(FLASH_AR)
选择字节寄存器(FLASH_OBR)
写保护寄存器(FLASH_WRPR)

STM32 复位后，FPEC 模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。

STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位（不能单纯的写入 8 位数据哦！），当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程，写入任何非半字的数据，FPEC 都会产生总线错误。在编程过程中(BSY 位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停，直到此次闪存编程结束。

同样，STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。

STM23 的 FLASH 写入过程如图所示。

STM32的Flash写入顺序如下：

检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’
在指定的地址写入要编程的半字
等待 BSY 位变为’0’ - 读出写入的地址并验证数据

Flash读写的标准库函数

1. 解锁函数，void FLASH_Unlock(void)；

对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单：只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。

2. 锁定函数，void FLASH_Lock(void)；

有解锁当然就有上锁，为了保护Flash，读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁，只需要调用：FLASH_Lock()；

3. 写操作函数：

固件库提供了三个 FLASH 写函数：

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

4. 获取 FLASH 状态

主要是用的函数是：FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

返回值是通过枚举类型定义的，分别为：

FLASH_BUSY =1,//忙

FLASH_ERROR_PG,//编程错误

FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误

FLASH_COMPLETE,//操作完成

FLASH_TIMEOUT//操作超时

5. 等待操作完成函数

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。

6. 读 FLASH 特定地址数据函数

有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数。

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16*)faddr; 
}

软件设计

FLASH的读取

直接读取某一地址的内容

因为读取FLASH并不需要解锁,我们可以直接用指针指向所读的地址,之后读取此地址的内容即可。

p = (uint32_t *)(0x08008000);
printf("\r\n读取内部FLASH该地址存储的内容为：0x%x",*p);

此程序就是先将0x08008000赋给指针变量P,之后将P指向地址的内容以16进制的格式输出出来。

读取选定位置的选定大小的内容

1. 首先我们编写一个函数,用以读取指定地址的半字(16位数据)。

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}

2. 从指定地址开始读出指定长度的数据

LReadAddr:起始地址

pBuffer:数据指针

NumToWrite:半字(16位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
		ReadAddr+=2;//偏移2个字节.	
	}
}

当我们想读取FLASH内容时,只需要直接调用上面的函数即可。

STMFLASH_Read(FLASH_ADDR,Temporary_storage,size);

这里FLASH_ADDR是我们要读取的起始地址,Temporary_storage是

16位的指针变量,存放我们读取到的内容,size是我们要读取的大小,值得注意的是,size是半字大小,也就是有多少个两个字节。比如我们要读取100个字节,size就可以填50。

FLASH的写入

直接使用标准库写入

首先需要先解锁

FLASH_Unlock();

写入前需要擦除当前页，对擦除有不理解的可以看我的另一篇文章:基于STM32的Flash擦除方式

FLASH_ErasePage(0x08000000+2*1024*5);

之后可以调用固件库函数,进行写入。例如向地址 0x08000000+210245 至 0x08000000+210246 地址写入数据

FLASH_ProgramWord(0x08000000+2*1024*5,0x01234567);

写入之后,不要忘了上锁。

FLASH_Lock();

写入选定位置的选定大小的内容

我们首先编写一个不检查的写入的函数。

WriteAddr:起始地址,pBuffer:数据指针,NumToWrite:半字(16位)数。

void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToWrite;i++)
	{
		FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
	    WriteAddr+=2;//地址增加2.
	}  
}

之后编写函数,实现从指定地址写入指定大小的指定内容。

#define STM32_FLASH_SIZE 512 //所选STM32FLASH容量大小（单位为K）
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH的起始地址
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 地址不能超出范围
	FLASH_Unlock();						//解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)//需要擦除
		{
			FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 				   
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain;	//写地址偏移	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	FLASH_Lock();//上锁
}

使用时,我们只需要当我们功能需要写入Flash时,调用此函数即可。

STMFLASH_Write(FLASH_ADDR,flg_false,size);//将标志位置为更改为0x00

此语句实现从FLASH_ADDR地址写入size大小的Temporary_storage数据。

如何在Keil 5中查看Flash某地址的内容

Keil的软件调试中,有专门可以查看所连接的板子的Flash的内容。

首先我们点击调试按钮,如下图。

之后我们在View中找到memory Windows,选择memory1。之后我们就可以看到右下角出现Flash的内容,第一次打开是空白,因为还没有选定地址,会出现下图内容。

我们在地址处填写想查看的地址,比如查看0x0800 3A98,输入完成后点击回车,就会出现Flash地址对应的内容。

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