特征说明：
1.Power-On-Reset (POR)
该装置通过VBUS（usb充电口）和VBAT（电池）中的电压较高者给内部供电。当VBUS的电压上升到超过V_BUS_UVLOZ值或VBAT的电压超过V_BAT_UVLOZ值时，睡眠比较器，电池耗尽比较器和BATFET驱动活跃，i2C接口准备通信，所有寄存器重置为默认值。POR之后，主机可以访问所有寄存器。
2.设备由电池供电，无需输入电源
如果只有电池存在并且电压高于耗尽阈值(VBAT_DPLZ)，则BATFET打开并将电池连接到系统。REGN保持关闭，以使静止电流最小化。该装置始终通过BATFET监控放电电流。当系统过载或短路时(IBAT > ISYS_OCP_Q4)，立即关闭BATFET。对于i2C，当BATFET由于过流而关闭时，设备设置BATFET_DIS位表示BATFET被禁用，直到输入源再次插入或eBATFET Enable (Exit Ship Mode)中所述用于重新启用BATFET的方法之一启用为止。
3.从输入电源上电
当插入一个输入源时，设备检查输入源电压以打开REGN LDO和所有的偏置电路。buck转换器启动前会检测和设置输入电流限制。输入源的开机顺序如下:
1. 启动 REGN LDO
2. Poor Source Qualification
3. Input Source Type Detection is based on PSEL to set default input current limit (IINDPM threshold)
4. 输入电压限制阈值设置(VINDPM阈值)
5. Power Up Converter
3.1 启动 REGN LDO
当以下所有条件都有效时，启用REGN:
• V_VBUS>V_VBUS_UVLOZ
• In buck mode, V_VBUS>V_BAT + V_SLEEPZ
• In boost mode,V_VBUS<V_BAT+V_SLEEP
•完成220毫秒延迟后
在高阻抗模式时，EN_HIZ位为1,REGN LDO关闭，电池为系统供电。
3.2Poor Source Qualification
启动REGN LDO后，设备开始检查输入源的电流能力。第一步就是Poor Source Qualification。
• VBUS voltage above VPOORSRC when pulling IBADSRC (typical 30 mA)（这里什么意思不太懂）
对于i2c，一旦输入源通过差源检测，状态寄存器位VBUS_GD被设置为1,INT pin发脉冲信号给主机。
如果设备检测不到差源，它每2秒重复一次差源限定。
3.3输入源类型检测(IINDPM阈值)（应该是区分插入的usb是充电还是通讯）
在poor source检测后，通过PSEL引脚运行输入源检测。PSEL引脚设置输入电流限制0.5 A(高)或2.4 A(低)。输入源类型检测完成后，将PMID_GOOD引脚断言为HIGH, PG_STAT位变为1。
对于i2c，在完成输入源类型检测后，发送一个INT脉冲到主机。此外，更新了以下寄存器位:
1. 输入电流限制(IINDPM)寄存器根据检测结果更新。
2. 更新VBUS_STAT位以指示USB或其他输入源。
3.PG_STAT位被更新，以指示插入好的适配器插头。
如果需要，主机可以改写IINDPM寄存器来改变输入电流限制。
带有PSEL pin的设备直接获取USB PHY设备的输出，以确定输入是USB主机还是充电端口。当设备在主机控制模式下运行时，主机需要将IINDET_EN位设置为1来更新IINDPM寄存器。当设备处于默认模式时，PSEL值实时更新IINDPM。
3.4输入电压极限阈值设置(VINDPM阈值)
设备有两种模式来设置VINDPM阈值：
（1）确定VINDPM阈值。VINDPM默认设置为4.5 V (3.9 V - 5.4 V)
（2）VINDPM threshold tracks the battery voltage to optimize the converter headroom between input and output.
当REG07[1:0]使能时，实际输入电压极限为以下二者中的较高值：寄存器中的VINDPM设置/VBAT + offset voltage in VINDPM_BAT_TRACK[1:0]。
3.5Power Up Converter in Buck Mode
设置输入电流限制后，启动转换器，HSFET和LSFET开始切换。系统电压来自转换器而不是电池。如果电池充电被禁用，BATFET将关闭。否则，BATFET将继续为电池充电。
该设备在系统轨道加速时提供软启动。当系统轨道低于VBAT_SHORT时，输入电流被限制在200ma或IINDPM寄存器设置的较低值。系统负载应适当规划，不超过200毫安秒的限制。当系统升到VBAT_SHORTZ V以上时，设备输入电流限制为IINDPM寄存器设置的值。
作为一个电池充电器，该设备部署了一个高效1.5兆赫降压开关调节器。定频振荡器在输入电压、电池电压、充电电流、温度等各种条件下，都能严格控制开关频率，简化了输出滤波器的设计。
该变换器支持PFM操作默认快速瞬态响应期间，系统电压调节和更好的轻负荷效率。如果系统电压不正常，PFM_DIS位将禁止PFM操作。
3.6当前适配器HIZ模式
通过适配器将EN_HIZ位设置为1，设备进入高阻抗状态(HIZ)。在HIZ模式下，即使有良好的适配器，系统也是由电池供电的。该器件处于低输入静态电流状态，且Q1 RBFET、REGN LDO和偏置电路断开。
3.7由电池启动升压模式（电池给usb供电）
该设备支持升压转换器操作，通过USB接口将电池的电力传输到其他便携设备。输出电压为5V(可编程4.6/4.75/5.0/5.15 V)，输出电流为1a。用户需要VBAT与升压模式之间至少有350mv的调节电压，才能可靠地启动升压模式。例如，如果电池电压为4.4 V，建议BOOSTV[1:0]设置为4.75 V或更高。
如果以下条件有效，则启用boost操作:
1. 寄存器设置:BATFET_DIS = 0, CHG_COFNIG = 0, BST_CONFIG = 1
2. BAT高过VBST_BAT通过查看MIN_VBAT_SEL位，
3.VBUS小于VBAT+VSLEEP(在睡眠模式)之前，转换器启动。
4. TS热敏电阻引脚电压在可接受范围内(VBHOT_RISE < VTS < VBCOLD_FALL)
在boost模式中，状态寄存器VBUS_STAT位被设置为111。
该变换器支持PFM在轻负载下的工作，在boost模式。PFM_DIS位可用于在boost配置中禁用PFM操作。
在升压模式下，BQ25619/618保持Q1场效应管关闭。充电器在插入或删除适配器时，通过将BST_CONFIG位和CHG_CONFIG位同时设置为1，充电器会自动在充电模式和boost模式之间切换。当适配器插入，并且启动新的充电周期的条件有效时，设备就处于充电模式。如果适配器被移除并且boost启用条件有效，则设备转换到boost模式以自动为连接到PMID的附件供电。
3.8电源路径管理
该设备可容纳广泛的输入源，从USB，墙壁适配器，汽车充电器。该设备提供自动电源路径选择，从输入源(VBUS)、电池向系统(SYS)供电,或两者兼而有之。
3.8.1Narrow VDC Architecture
当电池低于系统设置的最低电压时，BATFET工作在线性模式(LDO模式)，系统通常高于系统设置的最低电压180 mV。当电池电压超过系统最低电压时，BATFET完全打开，系统和电池之间的电压差就是BATFET的VDS。
当电池充电被禁用且超过系统最低电压设置或充电被终止时，系统通常被调节在高于电池电压50 mV的水平。当系统处于系统电压调节最小时，状态寄存器VSYS_STAT位变为1。
3.8.2动态电源管理DMP
3.8.3Supplement Mode
当系统电压低于电池电压时，BATFET启动并调节BATFET栅极，使最小的BATFET VDS在低电流时保持在30mv。这防止振荡进入和退出补充模式。
当放电电流增加时，用更高的电压调节BATFET栅极以降低RDSON，直到BATFET完全导通。此时起，BATFET VDS随放电电流线性增加。显示了栅管调节操作的V-I曲线。当电池低于电池耗尽阈值时，BATFET关闭到退出补充模式。
3.9 电池充电管理
（1）自动充电周期
电池充电使能时(CHG_CONFIG位= 1,CE引脚低)，设备自动完成一个无主机的参与充电周期。设备默认的充电参数表2中列出。主机通过I2C写入相应的寄存器来配置电源路径和充电参数。
当下列条件有效时，一个新的充电周期开始:
•转换器开始
•启用电池充电(CHG_CONFIG位= 1,ICHG寄存器不是0 mA, CE低)
•TS上无热敏电阻故障(将TS_IGNORE位设为1可以忽略TS引脚)
•没有安全计时器故障
•BATFET不被强制关闭(BATFET_DIS位= 0)
当充电电流低于终止阈值，电池电压高于充电阈值，且设备不处于DPM模式或热调节状态时，充电器装置自动终止充电周期。当一个充满电的电池放电低于充电阈值 （通过VRECHG bit控制），设备自动启动新的充电周期。充电完毕后，切换CE pin或CHG_CONFIG bit将启动一个新的充电周期。适配器移除和replug也将重新启动充电周期。
STAT输出显示充电状态:充电中(低)，充电完成或充电禁用(高)或充电故障(闪烁)。状态寄存器(CHRG_STAT)表示不同的充电阶段:00-充电禁用、01-预充电、10-快速充电(CC)和恒压充电(CV)、11-充电完成。一旦充电周期完成，断言一个INT脉冲通知主机。
（2）电池充电配置
该设备对电池的充电分为五个阶段:电池短时间充电、预调节充电、恒流充电、恒压充电和自顶式滴流充电(可选)。在充电周期开始时，设备检查电池电压并相应地调节电流和电压。
充电器输出和电池终端之间的电阻，如电路板布线，连接器，mosfet和检测电阻，会迫使充电过程从恒流提前到恒压，增加充电时间。为了加快充电周期，设备提供了BATSNS pin，以延长恒流充电时间，以提供最大的电力给电池。BATSNS引脚直接连接到电池端，远程检测电池端电压。BATSNS默认是启用的，也可以通过BATSNS_DIS位禁用。如果BATSNS连接到GND或保持浮动，充电器会调整BAT pin代替。
（3）充电结束
当电池电压高于充电阈值，且电流低于终止电流时，该装置终止一个充电周期。充电周期完成后，BATFET关闭。STAT被断言
为高表明充电完成。转换器持续运行为系统供电，BATFET可以再次启动去进入补充模式。
如果充电器设备处于IINDPM/VINDPM调节或热调节状态，实际充电电流将小于终止值。在这种情况下，终止是暂时禁用的。
当终止发生时，STAT pin升高。状态寄存器CHRG_STAT设置为11，并向主机断言一个INT脉冲。可以通过在收费终止之前将0写入EN_TERM位来禁用终止。
终止电流设置在REG03[3:0]中。对于小容量电池，终止电流可以设置为比满电低20mA。由于所述终止电流的准确性，实际终止电流可能高于所述终止目标。为了补偿终止精度，可在检测到终止后应用programmable top-off timer。top-off timer将遵循安全定时器的约束，这样，如果安全定时器被挂起，top-off timer也会被挂起。类似地，如果安全计时器加倍，终止topoff计时器也加倍。TOPOFF_ACTIVE bin报告top off计时器是否处于活动状态。主机可以读取CHRG_STAT和TOPOFF_ACTIVE来查找终止状态。STAT PIN保持为高在top-off timer计数周期。
一旦终端被充电器检测到top-off timer的设置就会被读取。在结束后编程一个top-off timer值(01,10,11)将没有效果，除非开始一个充电周期。top-off计时器将立即停止，如果它被禁用(00)。当进入top-off计时器段以及top-off计时器到期时，向主机发一个INT。
（4）Thermistor Qualification热敏电阻条件
该充电器装置提供一个用于电池温度监测的热敏电阻输入。
【4.1】充电模式符合JEITA指南.
为了提高锂离子电池充电的安全性，JEITA指南于2007年4月20日发布。该指南强调了在某些低温和高温范围内避免高充电电流和高充电电压的重要性。
要启动一个充电周期，TS引脚上的电压必须在VT1到VT5阈值内。如果TS电压超过T1-T5范围，控制器暂停充电，报告TS故障，等待电池温度在T1-T5范围内。
在低温下(T1-T2)，充电电流降低到可编程快速充电电流(0%，20%默认，50%，100% ICHG，由JEITA_ISET)。在温暖温度(T3-T5)下，充电电压降至4.1 V或保持VREG (JEITA_VSET)。充电电流可降低到可编程的水平(0%，20% 50% 100%默认)。在T3-T5中，电池终止被禁用。该充电器提供更灵活的设置T2和T3阈值以及程序温度配置超过JEITA。当T1设置为0℃时，并且T5设置为60℃，T2可编程为5.5℃/10℃(默认)/15℃/20℃，T3可编程为40°C / 45.5°C(默认)/ 50.5°C / 54.5°C。
当充电器不需要监控NTC时，主机将TS_IGNORE位设为1，在充电和boost模式下忽略TS pin状态。如果TS_IGNORE位设为1,TS引脚被忽略，充电器忽略TS引脚输入。在本例中，NTC_FAULT位为000，用于报告正常的TS状态。
【4.2】Boost Mode Thermistor Monitor During Battery Discharge Mode升压模式热敏电阻监视器期间电池放电模式
用于Boost Mode下的电池保护，该设备监控电池温度是否在VBCOLD和VBHOT阈值内。当RT1也5.3 KΩ,RT2 31.14 KΩ,TBCOLD默认是-19.5°C和TBHOT默认是64°C。当温度超出温度阈值时，boost模式将暂停。VBUS_STAT位设置为000，并报告NTC_FAULT。一旦温度返回到阈值内，boost模式将恢复并清除NTC_FAULT。
（5）充电安全定时器
该装置有一个内置的安全计时器，以防止延长充电周期由于异常的电池条件。当电池低于VBATLOWV阈值时安全定时器为2小时，当电池高于VBATLOWV阈值时安全定时器为10小时(在REG05[2]中为10/20小时)。当安全定时器到期，STAT pin闪烁在1赫兹报告安全定时器到期故障。
用户可以通过I2C (CHG_TIMER bit REG05[2])编程快速充电安全定时器。当安全计时器到期时，错误寄存器CHRG_FAULT位(REG09[5:4])被设置为11，并向主机断言一个INT。安全定时器(快速充电和预充电)可以通过I2C通过设置EN_TIMER位禁用。
在IINDPM/VINDPM调节，热调节，或JEITA凉爽/温暖时，快速充电电流减少，安全计时器计数半钟率，因为实际充电电流可能低于设置。例如，在整个充电周期中，充电器处于输入电流调节(IINDPM_STAT = 1)，安全时间设置为10小时，安全计时器将在20小时过期。可以通过向TMR2X_EN位写入0来禁用这个半时钟速率特性。BAT_FAULT、NTC_FAULT等故障导致充电暂停时，安全计时器也暂停。一旦故障消失，计时器就会恢复。如果用户停止当前的充电周期，并重新开始，定时器将重置(切换CE pin或CHG_CONFIG位)。
（6）8.3.7 Ship Mode and QON Pin
6.1 BATFET禁用(进入船运模式)
在系统空闲、运输或存储期间，为了延长电池的使用寿命和减少电池的电量，设备关闭BATFET，使系统电压浮空，以减少电池的泄漏电流。当主机设置BATFET_DIS位时，充电器可以立即关闭BATFET或延迟t_BATFET_DLY由BATFET_DLY位配置。要在提供适配器的情况下将设备设置为ship模式，主机必须首先将BATFET_RST_VBUS设置为1，然后将BATFET_DIS设置为1。充电器将关闭BATFET(没有充电，没有补充)，而适配器仍然是连接。当适配器被移除时，充电器将进入舰船模式。
6.2 BATFET启用(退出Ship模式)
当BATFET被禁用(船模式)时(设置BATFET_DIS)，以下事件之一可以使BATFET恢复系统电源:
1. 插入适配器
2. 清除BATFET_DIS位
3.设置REG_RST位重置所有寄存器，包括BATFET_DIS位为默认值(0)
4.一个逻辑高到低过渡的QON引脚与tSHIPMODE故障时间，使BATFET退出船运模式。EN_HIZ位设置为1(不管是否提供适配器)。主机必须在升压模式启用前设置EN_HIZ位为0。一旦适配器插入，EN_HIZ将被清除。
6.3 BATFET Full System Reset
当输入源未插入时，BATFET作为电池和系统之间的负载开关。当BATFET_RST_EN=1, BATFET_DIS=0, BATFET全系统复位功能启用。通过将BATFET的状态由on改变为off，连接到SYS的系统可以有效地强制进行电源复位。复位完成后，设备处于POR状态，所有的寄存器都是POR默认设置。QON引脚支持按键接口，通过改变BATFET状态，在不需要主机的情况下重启系统电源。在内部,它停在了PMID通过200Ω电阻电压。当QON引脚被驱动到t_QON_RST的低逻辑时，BATFET复位过程开始BATFET在t时关闭BATFET_RST，然后重新启用它来重置系统电源。可以通过设置禁用此函数BATFET_RST_EN位到0。
BATFET全系统复位功能，无论是否有适配器。如果BATFET_RST_WVBUS=1，则QON引脚推低到tQON_RST后系统复位函数启动。一旦复位过程开始，设备首先进入HIZ模式关闭转换器，然后功率循环BATFET。如果BATFET_RST_WVBUS=0，在QON pin被推低并且适配器被删除后，直到t_QON_RST才启动系统复位功能。
在BATFET全系统复位完成后，如果系统复位前EN_HIZ未被设置为1，设备将再次开机。
（7）状态输出(STAT, INT, PMID_GOOD)
7.1 Power Good 指示器 ( PG_STAT Bit)
当PG_STAT位为1时表示一个好的输入源:
• VBUS above V
VBUS_UVLO
• VBUS above battery (not in sleep)
• VBUS below VACOV threshold
• VBUS above VPOORSRC (typical 3.8 V) when IBADSRC (typical 30 mA) current is applied (not a poor source)
• Completed Input Source Type Detection (IINDPM Threshold)
7.2 Charging Status Indicator (STAT)
该设备在open drain STAT pin上指示充电状态。STAT引脚可以驱动LED。
7.3 Interrupt to Host (INT)
在某些应用程序中，主机并不总是监控充电器的运行。INT脉冲通知主机上的设备操作。下面的事件将生成一个256us的INT脉冲。
• Good input source detected
– VBUS above battery (not in sleep)
– VBUS below VACOV threshold
– VBUS above VPOORSRC (typical 3.8 V) when IBADSRC (typical 30 mA) current is applied (not a poor source)
• Input removed （输入源拔出）
•在输入源类型检测中识别出USB/适配器源(IINDPM阈值)。
• Charge Complete充电完成
•REG09寄存器中的任何故障事件
•检测到VINDPM / IINDPM事件(REG0A[1:0]，可屏蔽)
•Top off计时器开始和到期
REG09[7:0]和REG0A[6:4]向主机报告充电器运行故障和状态更改。当故障/状态改变发生时，充电器设备发送一个INT脉冲，并保持状态在REG09[7:0]/REG0A[6:4]，直到主机读取寄存器。在主机读取REG09[7:0]/REG0A[6:4]并且所有的INT都被清除之前，充电器设备不会在新的故障/状态改变时发送任何INT。要读取当前状态，主机必须连续两次读取REG09/REG0A。第一个读取报告预先存在的寄存器状态，第二个读取报告当前寄存器状态。
7.4 PMID Voltage Indicator (PMID_GOOD)（放电口）
在BQ25619/618中，附件设备可以连接到充电器PMID引脚上，通过Q1直接路径或电池升压模式从适配器获取电力。一个可选的外部PMOS场效应晶体管可以放置在充电器PMID引脚和附件输入之间，在过电流和过电压条件下断开电源路径。PMID_GOOD通过逆变器驱动外部PMOS场效应晶体管。PMID_GOOD高打开逆变器来拉低PMOS场效应晶体管栅极来打开PMOS场效应晶体管，和PMID_GOOD低关闭PMOS场效应晶体管。
一旦适配器插入，当VBUS在高过电池电压且低于V_ACOV时PMID_GOOD会从低转到高，在操作过程中，如果Q1电流超过IINDPM阈值(IBLK_OCP)的115%或适配器电压高于5.8 V ，PMID_GOOD将从高变低。如果所有条件有效，VBST_OVP上的高压适配器将继续为电池充电。外部PMOSFET将保持远离，以保护附件免受过电压故障。
当适配器被移除，PMID_GOOD会在电池升压模式启动前降至低。
在电池升压模式下，设备将PMID电压调节在4.6 V - 5.15 V之间，作为辅助设备的稳定电源。当PMID电压升至3.8V(V_POORSRC)以上时，PMID_GOOD由低变高。与当前适配器场景类似，PMID有效电压范围在V_POORSRC和V_BST_OVP之间。一旦PMID电压超出这个范围，PMID_GOOD会降低，从PMID断开附件设备。在升压模式下，退出升压模式的所有条件将驱动PMID_GOOD从高到低，包括 boost mode disable in register, ACOV, TS fault, battery depleted (VBAT_DPL), BATFET over-current, (ISYS_OCP_Q4),等.
8. 保护
8.1 Buck模式下的电压和电流监测. （降压模式）
8.1.1 输入过压保护(ACOV)
输入电压通过VAC引脚被感知。默认的OVP阈值是14.2 V，可以在5.7 V/6.4 V/11 V/14.2 V通过OVP[1:0]寄存器位。ACOV事件将立即停止转换器切换，无论在buck模式还是boost模式。一旦输入电压降到OVP阈值以下，设备将自动恢复正常运行。ACOV期间，REGN LDO是打开的，设备不进入HIZ模式。在ACOV期间，错误寄存器CHRG_FAULT位被设置为01。一个INT脉冲被断言到主机.。
8.1.2 2 系统过电压保护(SYSOVP)
充电器装置在负载瞬态期间夹住系统电压，使连接到系统的组件不会因高压而损坏。当电池停止充电时，VSYSOVP阈值比电池调节电压高约300 mV。在SYSOVP上，转换器立即停止切换以箝位超调。充电器拉动30毫安ISYS_LOAD放电电流以降低系统电压。
8.2 升压模式下电压、电流监测 boost mode
8.2.1 boost mode升压模式过电压保护
当PMID电压超过调节目标，超过VBST_OVP时，设备立即停止切换，退出boost模式，PMID_GOOD也被拉低BST_CONFIG位设置为0. 在boost模式过电压时，将故障寄存器位BOOST_FAULT设置为tot 1，表示boost操作中出现故障。向主机断言一个INT。
8.2.2 PMID过电流保护
BQ25619/618通过BATFET (Q4)密切监控电池放电电流，以确保安全的升压模式运行。在过流条件下，当升压输入电流超过ISYS_OCP_Q4时，设备闩锁100秒。当检测到过流情况时，将故障寄存器BOOST_FAULT位设置为高，表示boost操作中出现故障。向主机断言一个INT。
8.3 Thermal Regulation and Thermal Shutdown温度管理和温度关机
8.3.1 Buck模式下的热保护 降压模式
除了TS引脚上的电池温度监控外，该设备还监控内部结温TJ，避免芯片过热，在buck模式下限制IC结温。当内部结温超过热调节极限(110℃)时，器件降低充电电流。在热调节过程中，实际充电电流通常低于程序设定的电池充电电流。因此，终止是禁用的，安全计时器运行在一半的时钟率，且状态寄存器THERM_STAT位拉高。
此外,该设备热关机关掉转换器和BATFET当IC表面温度超过TSHUT 150ºC。当IC温度升高时，BATFET和转换器能够恢复
130ºC。在热关闭期间，错误寄存器CHRG_FAULT被设置为10，并向主机断言一个INT。
8.3.2 升压模式的热保护
除了TS引脚上的电池温度监测外，该设备还监测内部结温度，以提供在升压模式下的热关机。当集成电路接点温度超过TSHUT 150ºC,升压模式通过设置BST_CONFIG为低来失能。当集成电路接点温度低于145ºC,主机可以重新启用升压模式。
8.4 电池保护
8.4.1 电池过压保护(BATOVP)
电池过电压限制被夹在超过电池调节电压4%。当电池出现过电压时，充电器设备立即停止开关。错误寄存器BAT_FAULT位升高，并向主机断言一个INT。
8.4.2 Battery Over-Discharge Protection 电池过放电保护
当电池在V.BAT_DPL_FALL以下放电时，BATFET会锁存保护电池不发生过放电。为了从过放锁存中恢复，VAC/VBUS需要一个输入源插件。
8.4.3 系统超电流保护
I.SYS_OCP_Q4设置电池放电电流限制。一旦I.BAT>I.SYS_OCP_Q4，充电器将闩掉Q4，并把设备进入船运模式。所有退出舰船模式的方法都是有效的，使部分脱离Q4锁存。
该设备采用I2C兼容接口，实现灵活的充电参数编程和瞬时设备状态报告。I2CTM是由飞利浦半导体(现在的NXP)开发的双向2线串行接口半导体)。只需要两条总线:一条串行数据线(SDA)和一条串行时钟线(SCL)。在执行数据传输时，设备可以被视为主人或奴隶。主机是在总线上启动数据传输并产生时钟信号以允许传输的设备。在那时，任何被寻址的设备都被认为是从属设备。
该设备作为一个地址为6AH的从设备运行，通过REG00-REG0C接收来自主设备的控制输入，如微控制器或数字信号处理器。寄存器读取超出REG0C返回0 xff。I2C接口同时支持标准模式(最多100 kbits)和快速模式(最多400 kbits)。通过电流源或上拉电阻连接到正电源电压。当bus为空闲，两个线路都是高的。SDA和SCL引脚是open drain开漏.
。
9.1 数据有效性
SDA线上的数据必须在时钟的高潮期保持稳定。数据线的高或低状态只能在SCL线上的时钟信号低时改变。每传输一个数据位产生一个时钟脉冲。
9.1.1 启动和停止条件
