Write Amplification Analysis in Flash-Based Solid State Drives
此文发表于2009年
摘要
写入放大是限制基于NAND闪存的存储设备中的随机写入性能和写入耐久性的关键因素。GC对WAF的影响来自于OP 水平和回收策略的选择。在本文中，提出了一种新的基于日志结构的闪存SSD写入放大的概率模型。具体来说，通过量化分析op对WAF的影响，并通过仿真假设均匀分布的随机短写入的工作量。此外，我们提出了贪婪垃圾收集回收政策的修改版本，并比较了它们的性能，最后，我们分析评估分离静态和动态数据在减少写入放大方面的好处，以及如何通过适当的磨损均衡来解决耐久性问题。最后，评估静态和动态数据在减少WAF方面的好处，以及如何通过适当的磨损均衡来解决耐久性问题
第一部分
介绍
使用闪存的这些器件提供数量级的随机I / O性能和访问延迟比旋转硬盘驱动器（HDD）更好。NAND闪存具有独特的特性，这对SSD系统设计提出了挑战，尤其是随机写入性能和写入耐久性方面。
关于NAND性能主要来自out-of-place write的原因，如果使用write-in-place，则由于必要的读取，擦除和重新编程（写入）正在更新数据的整个块，闪存将表现出高延迟。但是，out-of-place write写入需要垃圾收集过程&
