比如 1066MT/S、 1600MT/S、 1866MT/S 等，这个是首要考虑的，因为这个决定了 DDR3 内存的最高传输速率。
tRCD 全称是 RAS-to-CAS Delay，也就是行寻址到列寻址之间的延迟。 DDR 的寻址流程是先指定 BANK 地址，然后在指定行地址，最后指定列地址确定最终要寻址的单元。 BANK 地址和行地址是同时发出的，这个命令叫做“行激活” (Row Active)。行激活以后就发送列地址和具体的操作命令(读还是写)，这两个是同时发出的，因此一般也用“读/写命令”表示列寻址。在行有效(行激活)到读写命令发出的这段时间间隔叫做 tRCD
一 般 DDR3 数 据 手 册 中 都 会 给 出 tRCD 的 时 间 值
从图可以看出， tRCD 为 13.91ns，这个我们在初始化 DDR3 的时候需要配置。有时候大家也会看到“13-13-13”之类的参数，这个是用来描述 CL-tRCD-TRP 的
从图可以看出， NT5CC256M16ER-EK 这个 DDR3 的 CL-TRCD-TRP 时间参数为“13-13-13”。因此 tRCD=13，这里的 13 不是 ns 数，而是 CLK 时间数，表示 13 个 CLK 周期。
当列地址发出以后就会触发数据传输，但是从数据从存储单元到内存芯片 IO 接口上还需要一段时间，这段时间就是非常著名的 CL(CAS Latency)，也就是列地址选通潜伏期
CL 参数一般在 DDR3 的数据手册中可以找到，比如 NT5CC256M16EP-EK 的 CL 值就是 13个时钟周期，一般 tRCD 和 CL 大小一样
在 DDR 的发展中，提出了一个前置 CAS 的概念，目的是为了解决 DDR 中的指令冲突，它允许 CAS 信号紧随着 RAS 发送，相当于将 DDR 中的 CAS 前置了。但是读/写操作并没有因此提前，依旧要保证足够的延迟/潜伏期，为此引入了 AL(Additive Latency)，单位也是时钟周期数。 AL+CL 组成了 RL(Read Latency)，从 DDR2 开始还引入了写潜伏期 WL(Write Latency)，WL 表示写命令发出以后到第一笔数据写入的潜伏期。
镁光 DDR3L 的读时序图，我们依次来看一下图中这四部分都是什么内容：
①、 tRCD，前面已经说过了。
②、 AL。
③、 CL。
④、 RL 为读潜伏期， RL=AL+CL。
tRC 是两个 ACTIVE 命令，或者 ACTIVE 命令到 REFRESH 命令之间的周期， DDR3L 数据手册会给出这个值，比如 NT5CC256M16EP-EK 的 tRC 值为 47.91ns
6、 tRAS 参数
tRAS 是 ACTIVE 命令到 PRECHARGE 命令之间的最小时间， DDR3L 的数据手册同样也会给出此参数， NT5CC256M16EP-EK 的 tRAS 值为 34ns
