SH367309芯片

博主 主要纪录自己常用的几种模式，以及自己觉得需要注意的点，具体的请看数据手册，且大部分都是从数据手册中截取。

（1）烧写模式：VPRO管脚外接EEPROM烧写电压V PRO ，且延时10mS，SH367309进入烧写模式，关闭充放电MOSFET及内置保护功能模块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM，且 内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作 。

（2）仓运模式：SHIP管脚外接低电平V L-SHIP ，SH367309进入 仓运模式 ： 关闭充放电MOSFET，同时关闭所有功能模块 ；连接充电器无任何动作。SHIP管脚外接高电平V H-SHIP ，才可 退出仓运模式，产生硬件复位

（3）硬件复位方式包括 上电复位、LVR复位、退出仓运模式以及退出PowerDown状态。 软件复位SH367309工作在 采集模式 ，当 TWI模块接收到MCU发送的软件复位指令 后，发生软件复位，进入WarmUp状态。（注释： WarmUp 结束后， 8 分钟内不检测断线和二次过充电保护状态。）

（4）SH367309的 CTL管脚可控制充放电MOSFET

（5） MODE管脚 为SH367309 采集模式和保护模式选择端 。SH367309处于 采集模式 下， ALARM管脚为对外通讯管脚 ；处于 保护模式 下， ALARM管脚为高阻态 。

（6）STA 检测定义为系统内部检测电路（ TWI 通讯的起始信号 ），主要用于采集模式低功耗唤醒使用。其中，充放电电流检测电压阈值为 VCD ，如果超过 VCD ，且维持充放电电流检测延时 tCD 以上，则置位 WAKE_FLG ，产生 ALARM 中断 （一个下降沿，低电平时间1ms）。

（7）EEPROM的Data Block（0x00~0x19)，RAM的ADC Data、System Area、Configuration Area（0x40~0x72）

（8）TWI通讯中，SH367309作为 从机 ，其 固定地址是 0x34（ | ）最低位0写1读

总结：

写eeprom寄存器内容：

1. 手册规定写eeprom的内容必须在烧写模式下，所以先打开烧写模式
2. 写eeprom寄存器的数据
3. 关闭烧写模式
4. SH367309 接收到以下指令协议后，START SLA+W Ack 0xEA STOP，会执行软件复位操作(如果EEPROM寄存器被改写，需执行软件复位操作才有效)。

读eeprom和ram寄存器的内容:

1. 将alarm引脚设置为外部中断，下降沿触发（alarm产生的是一个下降沿中断）
2. 如果产生了alarm中断，即TWI的起始信号，那么可以开始进行读eeprom和ram寄存器

写ram寄存器的内容：

1. 将alarm引脚设置为外部中断，下降沿触发（alarm产生的是一个下降沿中断）
2. 如果产生了alarm中断，即TWI的起始信号，那么可以开始进行写ram寄存器