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  • 蚀刻后残留物和光刻胶去除技术

    摘要 在未来几代器件中 去除光刻胶和残留物变得非常关键 在前端线后离子注入 源极 漏极 扩展 使用PR来阻断部分电路导致PR基本上硬化并且难以去除 在后端线 BEOL 蚀刻中 除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性 介绍
    趋势科技