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典型MOSFET制造工艺流程示意图

复旦大学姜玉龙的课程半导体器件截图图中有的红点是鼠标下面将阐述这个工艺过程硅片基底假设厚度800um 实际上只有上表层有用大概10um厚度左右然后填充氧化物用来隔离然后进行阱注入可以选择两边分别注入N阱或者P阱从而隔开

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