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仿真——衬底电压的改变对NMOSD的开启电压的影响

2023-05-16

 

1、搭建电路，并测得开启电压。开启电压大约为0.8V。

2、在衬底处加上一个0.5V的偏压，V_{SB}<0。测得开启电压下降到0.66V。

3、在衬底处加上一个-0.5V的偏压，V_{SB}>0。测得开启电压上升到0.9V

 

MOS管开启电压公式：V_{th}=V_{th0}+\gamma (\sqrt{\left | 2\phi _{F} +V_{SB}\right |}-\sqrt{\left | 2\phi _{F} \right |})。假设2\phi _{F}取典型值0.7V。

当V_{SB}<0时，即衬底电压大于源极电压。V_{SB}值的变化范围应该在-0.7V~0V之间。一旦V_{SB}的值小于-0.7V，则开启电压公式中括号中将一直都为正，开启电压将变大，这与我们所要求是相反的。

(1）衬底电压为0.7V，MOS管的开启电压继续下降，为0.59V。

（2）衬底电压为1V，MOS管的开启电压开始上升。

（3） 衬底电压为2V，MOS管的开启电压继续上升 

（4）衬底电压为3V，MOS管的开启电压继续上升

 衬底电压接着增大，开启电压还是继续增大。但是衬底电压过大会带来一系列的问题，具体什么问题等我学会了再来补充。

 

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