导体：能够导电的介质。
绝缘体：不能导电的介质。
半导体：根据特定外界条件的变化，介质对外表现为导体或者绝缘体。
硅原子的结构图如下：
最外层有4个电子，纯净的硅晶体内部全是硅原子，最外层共享彼此的4个价电子，能在外层形成稳定的8电子结构，不会有自由电子或者自由空穴。对外表现为绝缘体。
分为两种：n型掺杂和p型掺杂
n型掺杂：向硅晶体加入一些磷（P，最外层5个电子），形成的混合物中会存在大量的电子
p型掺杂：向硅晶体加入一些硼（B，最外层3个电子），形成的混合物中会存在大量的空穴
两种掺杂后导电性会显著提高，载流子分别为电子和空穴。
在同一块硅晶体的相邻区域分别进行n型掺杂和p型掺杂，就能得到一个 pn结。
n型掺杂区的电子较多，p型掺杂区的空穴较多。
根据扩散作用，电子或向右扩散到p型掺杂区与那里的空穴相结合。
在n区p区交界的地方，n区失去了电子得到了空穴，因此显正电性；p区相反显示负电性。
从而形成一个从正电区域指向负电区域的电场。
这个电场对电子空穴的扩散作用具有抑制作用。
最终电场和扩散作用达到平衡，在中间这块电场区域不存在载流子，这一块区域叫做耗尽层。
如下图，若是能在两端外加电场来抵消这个内电场，那么扩散能继续进行，这一块pn结对外表现为导体。
如下图，若在两端外加的电场会增强这个抑制电场，那么扩散仍不能进行，这一块pn结对外表现为绝缘体。
二极管其实就是上面的pn结，具有单向导电性，电流只能从p极流向n极。
全称：金属氧化物半导体场效应晶体管
以n型掺杂为例，将一块硅晶体按如下方式掺杂，如下图：
在n区和p区的交界处会形成耗尽层：
在两个n区上接电，都是无法导通的，因为总有一个耗尽层是增强内电场，抑制扩散作用的，如下图：
解决方法是施加一个额外的电场，重新制造 一个n区 和 一个耗尽层 ，如下两个图：
如上图，通过施加一个额外的电场，形成了一个新的n沟道，从而导通两个n极。
如此得到 一个电压控制电路通断的开关 。当额外施加的电压高于某个阈值时，能形成n沟道，导通两个n极。低于时不导通。
规定上面用到的三个电极，如下图:
pmos就是把上面的掺杂区域反过来。
mos管 是构成 逻辑门电路 的基本单元。
各种逻辑门 组合成 运算单元。
运算单元 ，加上 存储单元 和 其它电路 ，就构成了完整的 cpu 。
