GCC 内联汇编错误：错误：表达式后出现垃圾“(%esp)”

GCC 内联汇编错误：错误：表达式后出现垃圾“(%esp)”

我正在研究 gcc 内联汇编。我的环境是Win 7 32位，mingw-gcc 4.6.1。

我对“m”约束有疑问。这是我的c函数代码：

static int asm_test(int a, int b)
{

    int c = 0;
    __asm__ __volatile__(".intel_syntax\n"
            "mov eax, %1\n" //error
            "mov edx, %2\n" //error
            "add eax, edx\n"
            "mov %0, eax\n" //error
            ".att_syntax"
            :"=m"(c)\
            :"m"(a),"m"(b)\
            :"eax","edx"
            );
    return c;
}

对于at&t代码，是这样的：

static int asm_test(int a, int b)
{

    int c = 0;
    __asm__ __volatile__(
            "movl %1, $eax\n" //error
            "movl %2, $edx\n" //error
            "addl $edx, $eax\n"
            "movl $eax, %0\n" //error
            :"=m"(c)\
            :"m"(a),"m"(b)\
            :"eax","edx"
            );
    return c;
}

对于操作输入/输出操作数的三行中的每一行，gcc 在编译时都会生成错误，如下所示：

C:\Users\farta\AppData\Local\Temp\cc99HxYj.s:22:错误：表达式后出现垃圾“(%esp)”

如果我使用“r”作为输入/输出约束，则代码将起作用。但我不明白它为什么起作用以及错误代表什么。谁能告诉我吗？据我所知，“m”只是告诉 gcc 不要分配寄存器，而是在内联 asm 代码尝试访问输入/输出操作数时直接访问内存中的寄存器。它是否正确？

多谢。

这里的问题是 GCC 生成 AT&T 语法结构%0, %1 and %2。如果您查看生成的程序集，它看起来像：

.intel_syntax
mov eax, 8(%ebp)
mov edx, 12(%ebp)
add eax, edx
mov -4(%ebp), eax

这不是有效的英特尔语法。

通常，您不需要在内联汇编中包含显式加载/存储操作 - 只需指定寄存器约束，编译器将自行生成加载/存储。这样做的优点是，即使您的变量（参数、局部变量）根本不驻留在内存中，而是位于寄存器中，您的代码仍然是正确的 - 与您显式地将内存加载/存储在那里的情况不同。

对于您的示例，请尝试以下代码，查看程序集（gcc -S）并注意编译器如何自行从参数区域（例如 x86 上的堆栈）执行移动。

int asm_test(int a, int b)
{
  __asm__ __volatile__ (
                        ".intel_syntax\n"
                        "add %0, %1 \n"
                        ".att_syntax \n"
                        :"+r"(a)
                        :"r"(b));
  return a;

}