要理解推挽输出，首先要理解好三极管（晶体管）的原理。下面这种三极管有三个端口，分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。下图是NPN型晶体管。
这种三极管是电流控制型元器件，注意关键词电流控制。意思就是说，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制了。
下面请允许我换一下概念，把基极B视为控制端，集电极C视为输入端，发射极E视为输出端。这里输入输出是指电流流动的方向。
当控制端有电流输入的时候，就会有电流从输入端进入并从输出端流出。
而PNP管正好相反，当有电流从控制端流出时，就会有电流从输入端流到输出端。
那么推挽电路：
上面的三极管是N型三极管，下面的三极管是P型三极管，请留意控制端、输入端和输出端。
当Vin电压为V+时，上面的N型三极管控制端有电流输入，Q3导通，于是电流从上往下通过，提供电流给负载。
经过上面的N型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「推」。
当Vin电压为V-时，下面的三极管有电流流出，Q4导通，有电流从上往下流过。
经过下面的P型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「挽」。
以上，这就是推挽（push-pull）电路。
那么什么是开漏呢？要理解开漏，可以先理解开集。
如图，开集的意思，就是集电极C一端什么都不接，直接作为输出端口。
如果要用这种电路带一个负载，比如一个LED，必须接一个上拉电阻，就像这样。
当Vin没有电流，Q5断开时，LED亮。
当Vin流入电流，Q5导通时，LED灭。
一般开漏输出是如下图所示，无法输出高电平（当input为低或输入0时，Q6不导通，VCC驱动Q7导通，OUTPUT接地，为0；当input为高或输入1时，Q6导通，VCC直接接地，Q7不导通，OUTPUT为高阻态）
但是如果在output上接上拉电阻，则可以进行电平转换，且驱动能力较强
开漏输出电路，和集电极开路一样，就是指从MOSFET的漏极输出的电路。典型的用法是在漏极外部的电路添加上拉电阻到电源如图所示。完整的开漏电路应由开漏器件和开漏上拉电阻组成。这里的上拉电阻R的阻值决定了逻辑电平转换的上升/下降沿的速度。阻值越大，速度越低，功耗越小。因此在选择上拉电阻时要兼顾功耗和速度。标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力
很多单片机等器件的I/O就是漏极开路形式，或者可以配置成漏极开路输出形式，如51单片机的P0口就为漏极开路输出。在实际应用中可以将多个开漏输出的引脚连接到一条线上，这样就形成“线与逻辑”关系。注意这个公共点必须接一个上拉电阻。当这些引脚的任一路变为逻辑0后，开漏线上的逻辑就为0了。在I2C等接口总线中就用此法判断总线占用状态。
同集电极开路一样，利用外部电路的驱动能力(驱动能力相对集电极开路要强一点)，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经上拉电阻，再经MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流，因此漏极开路也常用于驱动电路中
开漏电路，就是把上图中的三极管换成场效应管（MOSFET）。
N型场效应管各个端口的名称：
场效应管是电压控制型元器件，只要对栅极施加电压，DS就会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流从控制电路流出，也没有电流进入控制电路。没有电流流入或流出，就不会烧坏控制电路。而双极型晶体管不同，是电流控制性元器件，如果使用开集电路，可能会烧坏控制电路。这大概就是我们总是听到开漏电路而很少听到开集电路的原因吧？因为开集电路被淘汰了。
