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IXFP4N100参数及代换型号 数据表（PDF）中文资料

2023-11-02

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

KNX41100产品特征：

符合RoHS

RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V

低栅极充电可尽量减少开关损耗

快速恢复体二极管

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MOS管

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