本文主要总结了半导体行业在工作中常用的英文含义，通过将内容分类，对生产厂家、工艺和阶段、晶圆等级等进行解析结合自己的理解和图片希望能让读者能够快速掌握。
Fabless:是Fabrication（制造）和less（无、没有）的组合，是指“没有制造业务、只专注于设计”的集成电路设计的一种运作模式，也用来指代未拥有芯片制造工厂的IC设计公司，经常被简称为“无晶圆厂”（晶圆是芯片\硅集成电路的基础，无晶圆即代表无芯片制造）；通常说的IC design house（IC设计公司）即为Fabless
Foundry:在集成电路领域是指专门负责生产、制造芯片的厂家。Foundry原意为铸造工厂、翻砂车间、玻璃熔铸车间，从它的字面意思可以看出其与集成电路的联系，因为硅集成电路的制造也跟“玻璃”和“砂”有关。
1、CP (Chip Probing 芯片/晶片+测试/探测):
测试对象是Wafer，目的是为了筛选出坏的Die并且喷墨标识。在封装环节前被淘汰掉能减小封装和测试的成本。基本原理是下探针加信号激励给Die，然后测试功能。CP一般在晶圆厂进行。
2、WAT (Wafer Acceptance Test 允收晶片/圆测试):
对专门的测试图形 (test key) 的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定
3、FT(Final Test 出厂测试)：
测试对象是Chip，对封装好的芯片进行测试。通常测试项比CP要少得多，因为之前已经测过了，目的是为了筛选符合设计要求的芯片，然后将芯片卖给客户，FT一般在封装厂进行。
4、MPW(Multi Project Wafer 多项目晶圆):
就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，用于产品研发阶段的实验和验证测试，这对于原型（Prototype）设计阶段的实验、测试已经足够了。MPW有点类似于拼团，晶圆厂会给出一个特定时间，让芯片公司一起流片（Tape Out），这个过程也称为Shuttle。该次制造费用由所有参加MPW项目的公司按照Die size分摊，这可以极大地降低产品开发风险，但是要赶时间，错过了只能等下次了。
5、Mask 芯片掩膜版/光罩：
是用来制造集成电路各个层次的母版，比如说N阱，有源区，多晶硅，金属1，通孔，金属2… 金属10… 这些工艺层。 芯片是以上各工艺层精密叠加的产物。
6、Full Mask是“全掩膜”的意思：
即制造流程中的全部掩膜都为某个设计服务，经过MPW充分验证后进行量产，即整片Wafer都是同一个项目的，这个过程可以大大降低单个Chip的成本。
1、Wafer(晶圆):
它是生产集成电路的硅基衬底薄片，即制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅，硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。新闻经常说的6英寸、8英寸、12英寸指的就是晶圆生产线的尺寸，即Wafer的size。
2、Die:
一片Wafer上的一小块晶片晶圆体称为Die，单个完整的集成电路器件。由于Die size的不同，一片Wafer所能容纳的Die数量不同。封装后就成为一个芯片（chip）。
3、Chip:
封装厂将Die加个外壳封装成可以焊在电路板上的芯片称为Chip。
4、TO(Tape Out):
流片（投片）
1、原装片：
三星、现代等厂商，生产出来的晶圆是按容量分等级的，高于93%容量的晶圆被称为A级品，简称A片，原厂封装并提供质保，品牌闪存一般使用此类芯片；
2、白片：
低于93%容量的晶圆被称为Downgrade；
Flash，不再打上原厂的雷刻标识，由一些小封装厂进行加工。其中相对足量，稳定使用的一般称之为白片。价格一般为A级品的7成至8成；
3、黑片：
待封装芯片中容量严重不足、质量难以保障的为黑片。另外部分不良商家回收废旧闪存芯片，打磨而成的闪存芯片一般也称之为黑片；
1、Datasheet (规格/说明书):
总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例如电源）的性能和其他特性的文件；
2、Spec (Specification 规格):
人为 (如客户) 定的电性参数标准, 测得的器件参数处在标准之内才算Pass；
3、Test recipe (测试程序):
控制变量如温度，压强，气体流量的探测程序；
4、SOP (Standard Operation Procedure 标准作业程序):
用统一的格式描述一系列复杂的操作和步骤，便于新人快速学习与使用；
5、Eg (band gap 禁带宽度):
也叫“能带”，是固体中没有电子状态的能级范围，是决定固体材料导电特性的关键参数。具有大禁带宽度的属于绝缘体；小禁带宽度的属于半导体；没有或具有很小禁带宽度的为导体；
6、RDS(on) 导通电阻:
也简称“RDS”或者“Ron”，器件非常重要的一种特性。定义：晶体管导通后两端电压与导通电流之比。其值越大意味着电流/功率损耗越大，因此一般越小越好；
7、Vth (阈值电压):
器件漏源(drain)开始导通时所需的栅极电压；
8、CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积):
利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～）
1.AE (Application Engineer 应用工程师):
需要熟悉芯片的功能，以及版图的设计
2.PE (Process Engineer 制程工程师):
在产线负责产品的生产
3.PIE (Process Integrated Engineer 工艺整合工程师):
主要负责工艺流程
4.EE (Equipment Engineer 设备工程师):
（1）提供客户技术支持工作，新机台安装，系统升级，问题处理，故障处理等
（2）公司内部技术支持，装机基础分析
（3）提供内部，外部客户技术培训
5.FAE (Field Application Engineer 现/市场应用工程师):
协同业务把产品卖出去
