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MOS管，推挽电路_不吃胡萝卜smile的博客-CSDN博客_推挽电路
推挽输出是指既可以输出低电平，也可以输出高电平，可以直接驱动功耗不大的数字器件。
推挽电路是由两个三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
当内部输出1电平时，上边的推挽电路导通同时下边的MOS管截止，IO口输出高电平。
当内部输出0电平时，上边的MOS管截至同时下边的MOS管导通，IO口输出低电平。
扩展资料
推挽方式可完全独立产生高低电平 ，推挽方式为低阻，这样，才能保证口线上不分走电压或分走极小的电压（可忽略），保证输出与电源相同的高电平。
推挽适用于输出而不适用于输入，因为若对推挽（低阻）加高电平后，I=U/R，I会很大，将造成口的烧毁。适用于大功率输出。
推挽结构一般指两三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个三极管截止，就刚好形成了推挽相连。这样的电路也称为推拉式或Totem-pole电路。推挽电路适用于低电压大电流的场合，广泛应用于开关电源和功放电路中。
推挽电路（push-pull）就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。
在电路设计中，推挽输出是一种很常用的输出模式。推挽输出有很多优点，比如更低的损耗，更安全的输出等。
“推挽”之意，即为当一个管子推出去时，另一个管子拉回来。输入不同，交替导通。
举个例子，如下图，
1、当输入信号为高电平的时候，上面的管子导通，下面的管子截止，输出信号为高电平。
2、当输入信号为低电平的时候，上面的管子截止，下面的管子导通，输出信号为低电平。
而你如果只使用一个管子来进行控制的话，你必须串联一个电阻，这就增加了更多的损耗，还有当输出端存在容性器件时，会增加导通和关断的效率，推挽电路就是为了解决这些问题而设计的。
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CMOS管就是NMOS和PMOS的结合，通过控制（输入级）栅极的电平来控制输出级的电平
左图，输入级为低电平时，上面的P沟道MOS管导通，下面的的N沟道MOS管截至，输出高电平。
右图，输入级为高电平时，上面的P沟道MOS管截止，下面的的N沟道MOS管导通，输出高电平。
上面两个是输入和输出的电平相反，要想相同，则需要加个反相器
推完输出，可以输出高电平和低电平，驱动能力强
开漏输出，只能输出低电平，不能输出高电平，而为高阻态
应用：
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为三极管延时导通，快速关断的一个仿真电路，D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路，C1的电压为12V的时候Q2导通，R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路，C1通过R3和Q1快速放电。
总结：
（1）对于NPN三极管，在不考虑三极管的情况下，b极电阻与下拉电阻的分压必须大于0.7V，PNP同理。
（2）b极电流必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态，此时Ic满足三极管 大的驱动能力。
（3）另外，对于三极管的放大倍数β，指的是输出电流的驱动能力放大了β，比如100倍，并不是把输出电流真正的放大了100倍。
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