MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个 小平台 ，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？
MOS管Vgs小平台
带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？
MOS管Vgs小平台有改善
为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。
MOS管的等效模型
我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。
其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。
如果你不了解MOS管输入输出电容概念，请点击： 带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
米勒效应的罪魁祸首就是米勒电容，米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下，使得等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。
首先我们需要知道的一个点是：因为MOS管制造工艺，必定产生Cgd，也就是米勒电容必定存在，所以米勒效应不可避免。
那米勒效应的缺点是什么呢？
MOS管的开启是一个从无到有的过程，MOS管D极和S极重叠时间越长，MOS管的导通损耗越大。因为有了米勒电容，有了米勒平台，MOS管的开启时间变长，MOS管的导通损耗必定会增大。
仿真时我们将G极电阻R1变小之后，发现米勒平台有改善？原因我们应该都知道了。
MOS管的开启可以看做是输入电压通过栅极电阻R1对寄生电容Cgs的充电过程，R1越小，Cgs充电越快，MOS管开启就越快，这是减小栅极电阻，米勒平台有改善的原因。
那在米勒平台究竟发生了一些什么？
以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。
所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。
我们以下右图来分析米勒效应，这个电路图是一个什么情况？
MOS管D极负载是电感加续流二极管，工作模式和DC-DC BUCK一样，MOS管导通时，VDD对电感L进行充电，因为MOS管导通时间极短，可以近似电感为一个恒流源，在MOS管关闭时，续流二极管给电感L提供一个泄放路径，形成续流。
MOS管的开启可以分为4个阶段。
t0~t1阶段
从t0开始，G极给电容Cgs充电，Vgs从0V上升到Vgs(th)时，MOS管都处于截止状态，Vds保持不变，Id为零。
t1~t2阶段
从t1后，Vgs大于MOS管开启电压Vgs(th)，MOS管开始导通，Id电流上升，此时的等效电路图如下所示，在IDS电流没有达到电感电流时，一部分电流会流过二极管，二极管DF仍是导通状态，二极管的两端处于一个钳位状态，这个时候Vds电压几乎不变，只有一个很小的下降（杂散电感的影响）。
t1~t2阶段等效电路
t2~t3阶段
随着Vgs电压的上升，IDS电流和电感电流一样时，MOS管D极电压不再被二极管DF钳位，DF处于反向截止状态，所以Vds开始下降，这时候G极的驱动电流转移给Cgd充电，Vgs出现了米勒平台，Vgs电压维持不变，Vds逐渐下降至导通压降VF。
t2~t3阶段等效电路
t3~t4阶段
当米勒电容Cgd充满电时，Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。
结合MOS管输出曲线，总结一下MOS管的导通过程
t0~t1，MOS管处于截止区；t1后，Vgs超过MOS管开启电压，随着Vgs的增大，ID增大，当ID上升到和电感电流一样时，续流二极管反向截止，t2~t3时间段，Vgs进入米勒平台期，这个时候D极电压不再被续流二极管钳位， MOS的夹断区变小，t3后进入线性电阻区，Vgs则继续上升，Vds逐渐减小，直至MOS管完全导通。
MOS管输出曲线
虽然米勒平台在高频开关状态臭名昭著，但是在电源缓启动中有很大的用处。
MOS两端电压Vds的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成（如下图），如果人为的增加米勒电容Cgd，可以达到延长Vds的下降时间，也就可以利用MOS做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。
具体的做法就是增加MOS管的米勒电容Cgd。
如下图是使用PMOS，串联在电源正极，主要是利用R1和C3的RC充放电原理图和米勒平台做缓启动。
