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模拟电路设计(14)---三点式振荡器
常用三点式振荡器 晶体三极管其增益适中 工作频带宽 体积小巧 实际电路设计中常用来构成简洁可靠的三点式LC振荡器 是各种振荡器的主流电路 其交流等效电路组态见下图 三点式振荡器交流等效电路 上图所示三点式LC振荡器的交流等效电路 与实际原理
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硬件工程
嵌入式硬件
MOS管的使用方法
转载自http blog csdn net qingwufeiyang12346 article details 48385773 http user qzone qq com 2756567163 1 三个极的判定 栅极 G 中间抽头 源
模拟电路
四种类型LDO特性对比
类型 NPN PNP N MOS P MOS 拓扑 特性 要求输入电压至少比输出电压高 0 9V 至 1 5V 接地引脚电流大于 NPN 达林顿管 但小于 PNP LDO 稳压器 需要一个输出电容器 但一般不像 PNP LDO 那样具有特殊
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模拟电路试题
模拟电路 1 基尔霍夫定理的内容是什么 仕兰微电子 a 基尔霍夫电流定律 在电路的任一节点 流入 流出该节点电流的代数和为零b 基尔霍夫电压定律 在电路中的任一闭合电路 电压的代数和为零 2 平板电容公式 C S 4 kd 3 三极管曲线特
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面试试题
模拟电路设计(18)---负阻型正弦波振荡器
负阻型正弦波振荡器 具有负的微变电阻特性的电子器件称为负阻器件 在一个LC或者谐振腔振荡回路中 若以负阻器件与消耗能量的常规电阻相抵消 使得振荡回路无能量消耗 那么电路也能维持正常的振荡 在实际电路中 负阻器件肯定是有源器件 由这种形式构成
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电路设计
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模拟电路设计(9)--- VMOSFET
MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培 漏源电压可以达到100V以上 但是由于漏源电阻大 频率特性差 硅片面积利用率低等缺点 使得MOSFET在功率上有很大的限制 随着VMOS技术移植到MOS功率器件后 VMOSFET的耐压可达到1000V以
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运放使用总结篇(1) 运算放大器基本概念简介
文章目录 前言 一 运算放大器是什么 二 运放的开环增益 三 运放的输入阻抗 输出阻抗 四 运算放大器的基本结构 五 运放的开环和闭环使用 总结 前言 作为硬件设计中最常用的运算放大器 有必要了解和掌握 单个三极管放大倍数离散度很大 虽然硬
电赛专区
运放使用总结篇
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运算放大器
经验分享
【模拟电路】电极驱动H桥
H桥式驱动电路 是因为它的形状酷似字母H 如图 当Q1和Q4导通时 电机正转 当Q2和Q3导通时 电机反转 任何时候 H桥同一侧的晶体管不能同时导通 否则就会造成电源和地之间短路 电机正转 电机反转 一个双电机驱动电路 H桥 设计思路 使用
模拟电路
论文p5解释 Bootstrap开关电路
M7 M3这种箭头指回去的是P型 这是开关电路 也叫Bootstrap开关电路 所以分析的时候不用考虑是耗尽型或者增强型 只考虑高低电平打开和关闭开关 1 Clks是高电平时 详细分析图如下 最终目的是Cs上极板接到Vdd 下极板接地 于是
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模拟电路设计(4)--- J-FET的结构和工作原理
场效应管和BJT在工作过程中有很大区别 BJT的电荷载体是空穴或是被击出的少量 少子 而场效应管的电荷则是多几个数量级的自由电子 多子 J FET晶体管 N沟道J FET晶体管结构示意图 以N沟道J FET来说明 结合J FET的电路符号示
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