本例以驱动继电器为例，来讲述相关电路设计，MOS管选型，以及看懂芯片手册。
D1作用是泄放继电器的反向电动势
24V继电器 电大负载25A/250VAC，线圈电阻640欧。
简单计算一下，流过线圈的电流为37.5mA。
这里有个背景知识，继电器的线圈为感性负载，在通电和断电的瞬间，会产生反向电动势，通电时这个电动势与电源方向相同，上正下负，电源可以吸收绝大部分。
断电时这个电动势与电源方向相反，下正上负，此时二极管D1导通，将这个电动势短路泄放掉。对于低压电路，二极管用1N4007就可以了，耐压1000V，电流1A，便宜好用。讲究的可以用快恢复二极管，性能更好些。漏电流略大，此处可以忽略。
这个MOS管的选型很简单，关键参数只涉及电压和电流即可，其他可不作考虑。
耐压：1.2~1.5倍电源电压或更高
电流：5倍工作电流妥妥的够，即150mA以上足矣。
功耗：一般管子的Rds只有几十毫欧，功耗肯定满足需求。
开关频率：这个不用想，肯定够，继电器的动作频率不可能超过100Hz，什么管子都够。
按销量排序，然后往下拉，找个价格，品牌都能接受的就行，比如下图这个。N沟道的一般比P沟道的便宜，这个选型时要注意。
对于今天这个应用，芯片第1页的信息就足够了，30V，5.2A，27毫欧，可以满足需要。
SOT23封装，也很小，省电路板空间。尽量选贴片元件哈，这样在批量生产时可以降低成本。
很简单，因为芯片厂家提供的一般都是英文文档，哪怕是国内的厂家也是这样。
有些工程师的英文水平不好，很不愿意去看英文版的芯片手册，尽量去网上找别人翻译好的中文文档。我最开始也是这样。但是逐渐发现，这些翻译的文档，除了原厂提供（比如TI在这方面做得很好），一般来说都是比较旧的，而且经常词不达意，手册也不全，到后来就逐渐变成了去看英文手册。
芯片手册一般分成几个部分，次序不一定相同，但基本都包含以下几个部分：
第1页一般是芯片的简要介绍，会说明芯片性能，关键参数，封装，以利于工程师的快速选型。
接下来就是目录，这个没啥好说的，就是让工程师快速定位到想要找到的具体细节。比较简单的芯片就没有这个。比如今天讲的MOS管就没有目录
引脚说明上图就有了。
对于多脚的芯片来说，一般都会有，对于三极管，MOS管这类简单的元件，一般是不带应用电路的。
简要说明一下：
VDS 漏极和源极的最大电压30V
VGS 栅极和源极电压最大±12V
漏极电流：最大5.2和4.6A，分别对应不同的温度
漏极最大脉冲电流：20A
最大功耗1W
存储温度范围：-55 to 150
工作环境温度：-55 to 150
简单理解就是，超过这个范围，元件就会坏，所以一定不要超过这些规定的值。
这个表就包含了最基本的参数，比如电压，导通电阻，栅极开启电压，各个极间电容等等
可以仔细查一遍，以后再看就一目了然了。
相关参数并不是一个恒定的值，而是随着其他参数的变化，自身也会变化的，厂家就用一些图表把这些变化表示出来。看一下横轴和纵轴，再看一下粗体字的说明，也就明白了。
第1行说明了封装是SOT-23，每个包装是3000/卷。
右下的表给出了元件各个部位的尺寸参数，左边是公制单位（毫米），右边是英制单位（英寸）。
本手册并未给出Layout建议，我找了一个别的MOS管的手册截图，如下：
每个尺寸都有2个数值，上面的单位是英寸，下面是毫米。
