MOSFET知识小结
MOSFET的基础知识
参见百度百科 ：场效应管
MOSFET的驱动
专用IC驱动
优点：电路集成度高，驱动能力强，使用简单
缺点：成本高
适用范围：非典型应用，如NMOS的高边驱动；驱动电流要求高的情况。
注意事项：
- 使用IC芯片时也需要注意被驱动的MOSFET参数，如关断电压、寄生电容等。
- 驱动IC也有可能存在驱动能力不足的情况，此时需要用图腾柱驱动电路加大驱动（电流）负载能力，有关图腾柱电路及其优化，参见链接link。
常见芯片：TI LM5050MK，Infineon IR2110STRPBF
NMOS驱动
- 低边应用（常用）
先看被驱动NMOS的VGS，常见VGS推荐电压值为10~12V，现在VGS达到4.5V一般都能使源极、漏极导通。需要注意的是VGS在不同电压情况下导通电阻会不一致，这会限制DS的电流负载能力。
1.1 如果VGS在4.5V或者3V能够开启MOS管，IC的驱动能力也能够满足要求，可以直接驱动。
1.2 如果需要VGS需要10~12V驱动电压，电路中存在高于驱动电压的电源，可以利用分压电路作为驱动，下图中器件选型需要根据实际情况灵活调整。
- 高边应用
参考nmos高端驱动自举电路
拾人牙慧，自己画了一个。
- 开关加速
上图中Q7的应用就是加速部分的电路。我自己总结的经验是NMOS用PNP加速，PMOS用NPN加速，BE之间用二极管隔离。
有时间补上一个PMOS的驱动加速电路。
电路评价
一个好的MOSFET驱动电路主要有以下五种要求：
1、开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。【在开关电源的应用中，驱动MOS管的电流瞬时能达到几个安培。】
2、开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。【图腾柱或者叫推挽电路的合理设计是关键，有一些优化变种形式。】有关图腾柱驱动电路的可参考下面的链接：
图腾柱与互补推挽电路一样吗？药丸哥一起带你深入分析电路！
图腾柱电路工作原理
3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。【对于PWM输出，干脆的驱动信号有助于实现PID的精准控制】
4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。【有关MOS管的损耗，导通损耗，开关损耗等以后有机会再写，这一部分可以结合TI LM5117的datasheet学习MOS管的使用】
5、根据情况施加隔离。
