目录
前言
一、基本信息
二、基本电气特性
1. PIN定义
2. 电气特性
3. OVP值的设置
4. 时序
5. 其他
三、实际设计案例
1. 电路原理图 & PCB Layout
2. 测试
3. 问题与对策
四. USB的VBUS应用【其他举例】
1. 电路原理图
2. 测试
3. 问题与对策
五. OVLO接GND
测试
总结
前言
背景要求:某一电路DC12V输入,在输入端口做OVP保护,电压高于14.8V时,掐断后级输出。
本文利用帝奥微电子的OVP芯片 DIO1280,讲述在12V电源系统中的使用案例。
一、基本信息
首要功能:OVP (Over-Voltage Protection)
其它功能:
IEC 61000-4-2 Air Discharge: > 15kV
IEC 61000-4-2 Contact Discharge: > 8kV
-
Surge Protection : IEC 61000-4-5: >100V
- Over-Temperature Protection (OTP):130℃
- Negative Voltage Protection(-30V)
封装信息:支持两种封装,
WLCSP-12 (0.4mm pitch) 和
EP-SOIC8
二、基本电气特性
1. PIN定义
PIN Name |
类型 |
描述 |
IN
|
Input / Supply
|
开关输入和对本芯片供电 |
OUT
|
Output
|
开关输出,连接到负载 |
#ACOK
|
Output
|
Power Good |
1 |
V
IN
< V
IN_min
or V
IN
≥ V
OVLO
输入电压处于欠压或过压
|
0 |
输出电压稳定时 |
#EN
|
Input
|
芯片使能,低有效 |
OVLO
|
Input
|
配置过压触发电平 (Over-Voltage Lockout Adjustment) |
2. 电气特性
注:数据是在环境温度-40℃~85℃,Typ值是在=5.0V, ≤3A, =0.1µF and =25℃
Symbol
|
Parameter
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
单位
|
说明 |
|
Supply Voltage
|
- |
2.5 |
|
25 |
V |
工作输入电压范围 |
|
Operating Temperature
|
- |
-40
|
|
+105
|
℃
|
工作温度范围 |
|
Output Current
|
- |
|
|
3 |
A |
最高能带3A的负载 |
|
Under Voltage Trip Level
|
Rising
|
|
2.25
|
2.4
|
V |
升压欠压电平 |
Falling
|
|
1.95
|
2.1
|
V |
降压欠压电平,即从正常状态的输入电压降低到这个值时,进入欠压状态 |
_ |
Internal Over-Voltage Trip Level
|
Rising, OVLO=GND
|
6.6
|
6.8
|
7.0
|
V |
OVLO接地时,内部设定的过压值 |
Falling
|
6.2
|
|
|
V |
|
_
|
OVLO Set Threshold
|
=2.5V to VOVLO
|
1.18
|
1.20
|
1.22
|
V |
过压门限值设置参数,即OVLO PIN达到这个电压值时会触发OVP |
_
|
Adjustable OVLO Threshold Range
|
=2.5V to V
OVLO
|
4
|
|
25 |
|
输入电压OVP值的设置范围 |
|
Resistance from V
IN
to V
OUT
|
=5V,
=1A,
=25
℃
|
|
30
|
|
mΩ
|
WLCSP-12
|
|
60
|
|
mΩ
|
EP-SOIC8
|
VIH_#EN
|
Enable HIGH Voltage
|
=2.5V to V
OVLO
|
1.2
|
|
|
V |
|
VIL_
#EN
|
Enable LOW Voltage
|
=2.5V to V
OVLO
|
|
|
0.5
|
V |
EN PIN 0.5V以下才能确保使能 |
|
External OVLO Select Threshold
|
- |
0.28
|
0.30
|
0.32
|
V |
OVLO接地时,内部设定的默认过压值为VIN_OVLO,OVLO小于0.32V时,认为OVLO接地了 |
|
Thermal Shutdown Hysteresis
|
|
|
20
|
|
℃
|
超过130℃时会启动过温保护,直到130℃-20℃时,恢复输出 |
3. OVP值的设置
通过电阻R1和R2的分压到OVLO pin,可以设定用户希望的OVP值。设置方式可参考如下公式:
建议R1的值≥820KΩ
4. 时序
5. 其他
刚开始时MOS的体二极管会前向导通,器件的OUT到IN的压降为小于0.7V,直到IN的电压超过2.5V时,器件会完全使能打开。注意体二极管流过的最大电流为1.8A,与热功耗相关(0.7Vx1.8A=1.36W)
三、实际设计案例
1. 电路原理图 & PCB Layout
布局布线:
2. 测试
测试方法:
将待测板在满载时运行30min,保证系统达到热平衡。然后按如下进行测试。
输入接Power Suply,设置为12V,输出接到电子负载仪,输入和输出分别接到示波器的通道一和通道二;负载分别在0A和1A时,输入电源按0.1V的步进增加,直到出现输出电压跌落时为止,并记录,然后再按0.1V的步进减少输入电压,直到出现输出电压正常时为止,并记录。
设计值 |
OVP(Iout=0) |
恢复(Iout=0) |
OVP(Iout=1A) |
恢复(Iout=1A) |
14.8V |
14.5V |
14V |
14.3V |
13.8V |
3. 问题与对策
在负载1A时,OVP到恢复时,有2次恢复过程,通过放大细节,可以看到输入电压有抖动和过冲的现象,OVLO的管脚电压有波动,导致再次触发OVP。
对策:
R704 并联100PF电容,实际测试没有出现过冲跌落现象 ,然后在VIN处加了10uF的电容,进一步减小输入电压的过冲最大幅值。再次测试数据如下:
OVP(Iout=0) |
恢复(Iout=0) |
OVP(Iout=1A) |
恢复(Iout=1A) |
14.6V |
14V |
14.8V |
13.8V |
四. USB的VBUS应用【其他举例】
1. 电路原理图
2. 测试
设计值 |
OVP(Iout=0) |
恢复(Iout=0) |
OVP(Iout=0.5A) |
恢复(Iout=0.5A) |
6.6V |
6.5V |
6.2V |
6.6 |
6.0V |
3. 问题与对策
从上面的恢复波形,可以看到与12V输入时的现象类似,出现了震荡反复触发OVP与恢复。
对策:
1. R4013电阻增加100pF并联电容,不再出现震荡现象。
2. 在VIN处增加10uF~22uF电容,改善尖峰、过冲。
OVP(Iout=0) |
恢复(Iout=0) |
OVP(Iout=0.5A) |
恢复(Iout=0.5A) |
6.5V |
6.2V |
6.6V |
6.1V |
五. OVLO接GND
通过芯片手册,可以看到,OVLO接GND时,OVP触发电压是6.8V(Typ.)
OVLO(GND)的门限是0.3V(Typ)
测试
OVP(Iout=0) |
恢复(Iout=0) |
OVP(Iout=0.5A) |
恢复(Iout=0.5A) |
6.8V |
6.5V |
6.9V |
6.4V |
总结
1、其他特性参数并未全部列出或测试,需参考实际规格书并根据实际应用需求进行测试验证。
2、OVP的设置电路或采集电路很重要,分压电阻需并联电容,满足电压快速变化时稳压滤波。