P型半导体参杂价电子为3的元素,一般为硼。因为硼的价电子比硅少一个,所以在共价键中少了一个电子,留下了空穴。空穴会吸引自由电子过来“入住”,所以参与导电的是空穴。
N型半导体参杂价电子为5的元素,一般为砷。因为砷的价电子比硅多一个,所以在N型半导体中多了一个自由电子。自由电子在电场作用下会“四处移动”,所以参与导电的是自由电子。
物理学规定空穴带正电,电子带负电。根据英文positive和negative和某型半导体中多子的电性(主要参与导电的叫多子),取为P和N型半导体。
扩散运动形成的耗尽区电场:N到P
我们规定P到N为正向,那么下图为反偏电压,使耗尽层变宽,扩散受到阻碍。
反型层:吸附了电子,电子是多子,与N相同,与衬底P相反,所以叫反型层