长度为
l
l
l的偶极子天线的电流分布可以表示为
I
(
z
)
=
I
0
sin
k
(
l
−
∣
z
∣
)
−
l
⩽
z
⩽
l
I(z)=I_{0} \sin k(l-|z|) \quad-l \leqslant z \leqslant l
I(z)=I0sink(l−∣z∣)−l⩽z⩽l式中,
I
0
I_{0}
I0是波腹电流;
k
k
k是波数,且
k
=
2
π
/
λ
k=2π/λ
k=2π/λ;
l
l
l是偶极子天线的长度。对于半波偶极子天线而言,其长度
l
=
λ
/
4
l=λ/4
l=λ/4。把上述参数代入到上式中,则半波偶极子天线的电流分布可以改写为:
I
(
z
)
=
I
0
sin
(
π
2
−
k
z
)
=
I
0
cos
(
k
z
)
I(z)=I_{0} \sin \left(\frac{\pi}{2}-k z\right)=I_{0} \cos (k z)
I(z)=I0sin(2π−kz)=I0cos(kz)
2、辐射场和方向图
已知半波偶极子天线上的电流分布,可利用叠加原理来计算半波偶极子天线的辐射场。半波偶极子天线可以看成是由长度为dz的电基本振子天线连接而成的,dz 这一小段天线上的电流等幅同相,但沿着Z轴的电流幅度是按
I
(
z
)
=
I
0
cos
(
k
z
)
I(z)=I_{0} \cos (k z)
I(z)=I0cos(kz)分布的。电基本振子的远区辐射场为
E
θ
=
j
I
d
l
2
λ
r
μ
0
ε
0
sin
θ
e
−
j
k
r
E_{\theta}=\mathrm{j} \frac{I d l}{2 \lambda r} \sqrt{\frac{\mu_{0}}{\varepsilon_{0}}} \sin \theta \mathrm{e}^{-\mathrm{j} k r}
Eθ=j2λrIdlε0μ0sinθe−jkr对此进行积分得半波偶极子天线的辐射场为
E
θ
=
j
d
l
2
λ
r
μ
0
ε
0
sin
θ
e
−
j
k
r
[
∫
−
λ
/
4
λ
/
4
I
0
cos
(
k
z
)
d
z
]
E_{\theta}=\mathrm{j} \frac{d l}{2 \lambda r} \sqrt{\frac{\mu_{0}}{\varepsilon_{0}}} \sin \theta \mathrm{e}^{-\mathrm{jkr}}\left[\int_{-\lambda / 4}^{\lambda / 4} I_{0} \cos (k z) \mathrm{d} z\right]
Eθ=j2λrdlε0μ0sinθe−jkr[∫−λ/4λ/4I0cos(kz)dz]整理可得
E
θ
=
j
60
I
0
r
cos
(
π
2
cos
θ
)
sin
θ
e
−
j
k
r
=
j
60
I
0
r
f
(
θ
,
φ
)
E_{\theta}=\mathrm{j} \frac{60 I_{0}}{r} \frac{\cos \left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin \theta} \mathrm{e}^{-\mathrm{j} k r}=\mathrm{j} \frac{60 I_{0}}{r} f(\theta, \varphi)
Eθ=jr60I0sinθcos(2πcosθ)e−jkr=jr60I0f(θ,φ)其中
f
(
θ
,
φ
)
=
f
(
θ
)
=
cos
(
π
2
cos
θ
)
sin
θ
f(\theta, \varphi)=f(\theta)=\frac{\cos \left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin \theta}
f(θ,φ)=f(θ)=sinθcos(2πcosθ)称为半波偶极子天线的方向性函数。 在电基本振子得辐射场中,电场分量
E
θ
E_{\theta}
Eθ和磁场分量
H
φ
H_{\varphi}
Hφ的比值为常数,将其称为波阻抗。对于自由空间而言,媒质的波阻抗为
η
0
=
E
θ
H
φ
=
μ
0
ε
0
=
120
π
Ω
\eta_{0}=\frac{E_{\theta}}{H_{\varphi}}=\sqrt{\frac{\mu_{0}}{\varepsilon_{0}}}=120 \pi \Omega
η0=HφEθ=ε0μ0=120πΩ故可求得半波偶极子天线的磁场为
H
=
1
η
0
e
^
r
×
E
=
j
I
0
2
π
r
cos
(
π
2
cos
θ
)
sin
θ
e
−
j
k
r
e
^
φ
\boldsymbol{H}=\frac{1}{\eta_{0}} \widehat{\boldsymbol{e}}_{r} \times \boldsymbol{E}=\mathrm{j} \frac{I_{0}}{2 \pi r} \frac{\cos \left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin \theta} \mathrm{e}^{-\mathrm{j} k r} \widehat{\boldsymbol{e}}_{\varphi}
H=η01er×E=j2πrI0sinθcos(2πcosθ)e−jkreφ 根据方向性函数可绘出半波偶极子天线的归一化场强方向图,在
H
H
H平面(
θ
=
90
°
\theta=90°
θ=90°)极坐标方向图是一个圆。在
E
E
E平面(
φ
\varphi
φ为常数)中,辐射场强会随着角度
θ
\theta
θ的变化而变化,
θ
=
±
9
0
∘
\theta=\pm 90^{\circ}
θ=±90∘方向上场强最大,
θ
=
0
∘
\theta=0^{\circ}
θ=0∘和
θ
=
18
0
∘
\theta=180^{\circ}
θ=180∘方向上场强为零。
3、方向性系数
天线的方向性系数
D
D
D是指在远区场的某一球面上天线的辐射强度与平均辐射强度之比
D
(
θ
,
φ
)
=
U
(
θ
,
φ
)
U
0
D(\theta, \varphi)=\frac{U(\theta, \varphi)}{U_{0}}
D(θ,φ)=U0U(θ,φ)式中,平均辐射强度
U
U
U。实际上是辐射功率除以球面积,即:
U
0
=
1
4
π
∫
0
2
π
∫
0
π
U
(
θ
,
φ
)
sin
θ
d
θ
d
φ
U_{0}=\frac{1}{4 \pi} \int_{0}^{2 \pi} \int_{0}^{\pi} U(\theta, \varphi) \sin \theta \mathrm{d} \theta \mathrm{d} \varphi
U0=4π1∫02π∫0πU(θ,φ)sinθdθdφ通常所说的方向性系数指的都是在最大辐射方向上的方向性系数,即:
D
=
U
max
U
0
D=\frac{U_{\max }}{U_{0}}
D=U0Umax代入方向性函数可计算出半波偶极子天线的功率方向性系数为
D
=
1
1
4
π
∫
0
2
π
∫
0
π
cos
2
θ
(
π
2
cos
θ
)
sin
2
θ
sin
θ
d
θ
d
φ
=
1.64
D=\frac{1}{\frac{1}{4 \pi} \int_{0}^{2 \pi} \int_{0}^{\pi} \frac{\cos ^{2} \theta\left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin ^{2} \theta} \sin \theta \mathrm{d} \theta \mathrm{d} \varphi}=1.64
D=4π1∫02π∫0πsin2θcos2θ(2πcosθ)sinθdθdφ1=1.64即
D
d
B
=
10
lg
(
1.64
)
=
2.15
d
B
D_{\mathrm{dB}}=10 \lg (1.64)=2.15 \mathrm{~dB}
DdB=10lg(1.64)=2.15dB
4、辐射电阻
天线的平均功率密度可以用平均坡印廷矢量来表示,即:
S
a
v
=
1
2
(
E
×
H
∗
)
\boldsymbol{S}_{a v}=\frac{1}{2}\left(\boldsymbol{E} \times \boldsymbol{H}^{*}\right)
Sav=21(E×H∗)把半波偶极子天线的辐射电场和辐射磁场代入式,可得
S
a
v
=
15
I
0
2
π
r
2
cos
2
(
π
2
cos
θ
)
sin
2
θ
\boldsymbol{S}_{a v}=\frac{15 I_{0}^{2}}{\pi r^{2}} \frac{\cos ^{2}\left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin ^{2} \theta}
Sav=πr215I02sin2θcos2(2πcosθ)半波偶极子天线的辐射功率则为:
S
r
=
∫
s
S
a
v
d
S
=
∫
0
2
π
∫
0
π
15
I
0
2
π
r
2
cos
2
θ
(
π
2
cos
θ
)
sin
2
θ
r
2
sin
θ
d
θ
d
φ
=
36.6
I
0
2
S_{r}=\int_{s} \boldsymbol{S}_{a v} \mathrm{~d} S=\int_{0}^{2 \pi} \int_{0}^{\pi} \frac{15 I_{0}^{2}}{\pi r^{2}} \frac{\cos ^{2} \theta\left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin ^{2} \theta} r^{2} \sin \theta \mathrm{d} \theta \mathrm{d} \varphi=36.6 I_{0}^{2}
Sr=∫sSavdS=∫02π∫0ππr215I02sin2θcos2θ(2πcosθ)r2sinθdθdφ=36.6I02这里使用R,来表示辐射电阻,有:
P
r
=
36.6
I
0
2
=
1
2
I
0
2
R
r
P_{r}=36.6 I_{0}^{2}=\frac{1}{2} I_{0}^{2} R_{r}
Pr=36.6I02=21I02Rr 可以计算出半波偶极子天线的辐射电阻为:
R
r
=
73.2
Ω
R_{r}=73.2 \Omega
Rr=73.2Ω
5、输入阻抗
根据基本的传输线理论,输入阻抗一般同时包含实部和虚部两部分,即为:
Z
i
n
=
R
i
n
+
j
X
i
n
Z_{\mathrm{in}}=R_{\mathrm{in}}+\mathrm{j} X_{\mathrm{in}}
Zin=Rin+jXin其中,实部电阻
R
in
R_{\text{in}}
Rin包含辐射电阻
R
r
R_{\text{r}}
Rr,和导体损耗所产生的导体电阻
R
σ
R_{\sigma}
Rσ。对于良导体而言,导体电阻可以忽略,此时实部电阻仅包含辐射电阻,即为:
R
in
≈
R
r
R_{\text {in }} \approx R_{r}
Rin ≈Rr由理论分析可知,偶极子天线在天线长度
2
l
2l
2l约为
λ
/
2
λ/2
λ/2时,虚部电抗
X
i
n
=
0
X_{\mathrm{in}}=0
Xin=0。若采用更精确的场论分析,当
2
l
=
0.48
λ
2l=0.48λ
2l=0.48λ时,
X
i
n
=
0
X_{\mathrm{in}}=0
Xin=0。综合以上的分析,对于半波偶极子天线而言,输入阻抗可以近似为:
Z
i
n
≈
R
r
=
73.2
Ω
Z_{\mathrm{in}} \approx R_{r}=73.2 \Omega
Zin≈Rr=73.2Ω可见,半波偶极子天线的输入阻抗是纯电阻,易于和馈线匹配,这也是它被较多采用的原因之一。