51单片机——DS18B20温度传感器

2023-05-16

目录

DS18B20特性

内部存储器表

ROM指令表

RAM指令表

DS18B20暂存器表

 单个DS18B20温度转换过程

温度读取及计算

配置寄存器(分辨率)

读写时序

复位及存在检测

写时序

读时序

程序实现


DS18B20特性

供电电压3.0V~5.5V
单线接口DS18B20 紧需一根总线与MCU进行双向通讯
多点组网多个DS18B20可以并联在一条总线上,实现多点测温
硬件简单不需要外围电路,因为OD结构故要接上拉电阻
测温范围-55~+125°C,在 -10~+85°C时精度为 ±0.5°C
分辨率9~12位 ,对应的分辨温度为 0.5°C、0.25°C、0.125°C、0.0625°C
负压特征正负极反接时芯片会发热,但不会被烧毁

内部存储器表

ROM指令表

指令代码功能
读ROM33H读DS18B20温度传感器ROM种的编码
匹配ROM55H发出此命令后,接着发出64位ROM编码,访问单总线上与该编码相对应的DS18B20使之作出响应,为下一步对该DS18B20的读写准备

搜索

ROM

F0H用于确定挂接在同一总线上的DS18B20的个数和识别64位ROM地址,为操作各器件做好准备
跳过ROMCCH忽略64位ROM地址,直接向DS18B20发温度转换命令,适用于单个DS18B20工作
告警搜索ECH执行后只有温度超过设定值上限或下限的设别才做出响应

RAM指令表

指令代码功能
温度转换44H启动DS18B20进行温度转换,12位转换时最长位750ms9位为93.75ms)结果存入内部9字节RAM
读暂存器BEH读内部RAM中9字节的内容
写暂存器4EH发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令,紧跟该命令之后,是传送两字节的数据
复制暂存器48H将RAM中3,4字节的内容复制到EEPROM
重调EEPROMB8H将EEPROM中内容恢复到RAM中的3,4字节
读供电方式B4H读DS18B20的供电模式。寄生供电时 DS18B20发送 "0",外接电源供电DS18B20发送"1"

DS18B20暂存器表

寄存器内容字节地址
温度值低位(LS Byte)0
温度值高位(MS Byte)1
高温限值 (TH)2
低温限值   (TL)3
配置寄存器4
保留5
保留6
保留7
CRC校验值8

 单个DS18B20温度转换过程

  • 复位
  • 发CCH(跳过ROM)
  • 发44H   (温度转换)
  • 复位
  • 发CCH(跳过ROM)
  • 发BEH  (读暂存器)
  • 读温度值低位
  • 读温度值高位

温度读取及计算

  •  温度>0时:高5位为 0,测到的数值乘0.0625得实际温度
  •  温度 <0时:高5位为 1,测到的数值取反加1再乘0.0625得实际温度

注:上电复位后温度默认值是85°C

配置寄存器(分辨率)

 

 注:默认为12位分辨率

读写时序

复位及存在检测

 在初始化序列期间,总线控制器拉低总线并保持 480us 以发出(TX)一个复位脉 冲,然后释放总线,进入接收状态(RX)。单总线由4.7K 上拉电阻拉到高电平。当 DS18B20 探测到 I/O 引脚上的上升沿后,等待 15-60us,然后发出一个由 60-240us 低电平信号构成的存在脉冲。

写时序

 总线控制器通过写 1 时序写逻辑 1 到 DS18B20写 0 时序写逻辑 0 到 DS18B20所有写时序必须最少持续 60us,包括 两个写周期之间至少 1us 的恢复时间。当总线控制器把数据线从逻辑高电平拉到 低电平的时候,写时序开始

读时序

 所有读时序必须最少 60us,包括两个读周期间至少 1us 的恢复时间。当总线控制 器把数据线从高电平拉到低电平时,读时序开始,数据线必须至少保持 1us,然 后总线被释放。在总线控制器发出读时序后,DS18B20 通过拉高或拉 低总线上来传输 1 或 0。当传输逻辑 0 结束后,总线将被释放,通过上拉电阻回 到上升沿状态。从 DS18B20 输出的数据在读时序的下降沿出现后 15us 内有效。

程序实现


void Delay_us(uchar us)//进一次约6.5us
{
	while(us--);	
}

bit ds_init()
{
	bit i;
	DS = 1;
	_nop_();
	DS = 0;
	Delay_us(75); //6.5*75>480us
	DS = 1; //释放总线
	Delay_us(4); //15~16us
	i = DS;
	Delay_us(20); //60~240us
	DS = 1;
	_nop_();
	return (i);
}


void write_byte(uchar dat)
{
	uchar i;
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		DS = 0;
		_nop_();//5us
		DS = dat & 0x01;//判断写0还是写1
		Delay_us(10);//>60us
		DS = 1; //释放总线
		_nop_();
		dat >>= 1;//数据右移
	}
}

uchar read_byte()
{
	uchar i, j, dat;
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		DS = 0;
		_nop_();//5us
		DS = 1;
		_nop_();//5us
		j = DS;//先读低位
		Delay_us(10);//>60us
		DS = 1;
		_nop_();
		dat = (j<<7)|(dat>>1);//得到的数先移到最高位,dat再右移一位
	}
	return (dat);
}

void main()
{
	uint i;
	uchar L, M;

	while(1)
	{
		ds_init();//初始化
		write_byte(0xcc);//跳过ROM
		write_byte(0x44);//温度转换
		ds_init();//初始化
		write_byte(0xcc);//跳过ROM
		write_byte(0xbe);//读寄存器
		L = read_byte();//读低八位
		M = read_byte();//读高八位
		i = M;
		i <<= 8;//高八位左移
		i |= L;//与低相与八位						
		
        if(i&0XF800==0XF800)//判断高五位是否为1,为1为负值
        {
            i=~i+1;//如果为 1 ,则取反 i 再加 1 
        }
        
        i=i*0.0625;
		Display(i);
	}
}
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