在开关电源的设计里，为了对策传导干扰大都会在输入端前端加入EMI滤波器，因传导测试是由AC端来做量测，因此滤波器愈靠近接收器效果愈好(让所有的干扰都可经由滤波器做衰减)，而一般滤波器是经由电感与电容组合而成的二阶低通滤波器。
如图27所示，当干扰信号在经过接收器之前，由电感与电容组成的二阶低通滤波器来衰减高频信号，由图28可知，愈大的滤波电感或电容，可以让谐振频率点往前移而衰减更多高频信号。
图27
图28
在滤波器设计上，需确认要衰减的路径是差模还是共模，如图29所示为常用的EMI滤波电路，蓝色回路为差模滤波器，左边为L1与X1，右边则由L2与C1所组合而成的差模低通滤波器，紫色回路则为共模滤波器，分别由上端的L1与Y1，L1与Y2组合而成。
图29
理想的滤波器很容易理解，高频干扰经过低通滤波后衰减其高频信号。但在实际应用里，电感或电容愈大，有时并不一定有较好的EMI效果，甚至有时还会较差，这是为什么？
因真实的电感或电容，必需考虑到组件内部的等效电路，像是理想的电容，其阻抗会随着频率增加而减少，但在实际的电容器内部会有ESL与ESR，当频率与阻抗曲线在超过自谐振频率点(Fr)之后，其阻抗反而会因ESL的效应而导致频率愈高，阻抗愈大。
下面就对滤波电感与电容个别来做介绍：
电容：图30为一电容的等效电路，Ｌ为等效电感，Rs为等效串联电阻，Rp为等效并联电阻，Ｃ为其电容值
图30
实际的电容器除了电容值外，仍必需考虑其等效电感与等效电阻的影响，其特性曲线如下图所示，电容的XL是由其内部的ESL所造成，因电容是由二片金属板绕制而成，因此容值愈大，其ESL也会愈大，也因此Fr也会在愈前面，当频率过了Fr后，其阻抗会由电容性改为电感性。
由图31的阻抗等效图可以看出，电容器在低频时，确实是由电容所主导，频率增加而阻抗降低，但在过了Fr后，阻抗特性开始由电感(ESL)所主导，频率增加后阻抗反而会上升，在此频段的电容呈现一个电感的特性。
图31
在此举例一0.47uF的X电容如下图32所示，左边为其外型与等效内部电路，右边则为等效内部阻抗与频率曲线图，量测得知其等效电感为0.45nH, 等效电阻为0.05ohm，我们可以看出其阻抗在1.09MHz之前是呈电容性下降，在1.09MHz时呈现急速下降至ESR的位置，并在1.09MHz后呈现电感性上升，转折频率点为
与图中转折点相同(此图为示意图，详细曲线图请确认电容器厂商规格书或用LCR设备量测)。
图32
所有的电容其实都有此频率特性曲线，像是图33为一相同类型但不同容质所得出的阻抗与频率曲线，由此图形可知，不同的容质会因其容质与ESL不同而有不同的共振频率点与与频率曲线。
一样MLCC的电容，也会因为其介电系数的不同而影响阻抗特性曲线，如图34所示为Z5U与NPO(相同容值)所呈现出来的阻抗与频率曲线。
另外，相同材质与容质，也会因不同的包装影响其ESL而有不同的阻抗特性曲线，如图35为相同容值与材质，但包装不同(0402/0603/0805)所呈现出来的阻抗与频率曲线。
图34
图35
由上面的阻抗与频率特性曲线可得知，在对策不同频段的电磁干扰时，必需考虑不同材质，不同包装的电容在此频段时的阻抗特性为何，并依此来选择电容器才能达到预期的效果。
电感：图36为电感的等效电路，Rs为等效电阻，Ｃ为等效电容，Ｌ则为其电感量。
图36
与电容器相似，其频率特性曲线如图37所示，在转折频率点以下时是由电感所主导，但过了转折频率点之后，会由电感的等效电容主导，当频率愈高时阻抗反而愈小。感量愈大的电感，因其必需绕制更多圈数来得到其所需的感量，因此更多的圈数会导至更大的寄生电容，转折频率点也会较为前面，而在高频时的衰减能力也会较差，如图38所示为三颗相同环形铁心绕制不同圈数后得出的阻抗频率特性曲线，L1最多圈因此在前频段时上升最快，但也因寄生电容最大而最快被衰减。
另外，电感的等效电容与电感的绕法／圈数有很大的关系，一般是圈数愈多会有愈大的等效电容，但电感的绕制可以用绕法的不同，像是十字绕法，蝴蝶绕法…等方式，用相同的电感但不同的绕法来得到相同感量但减少其等效电容，藉此来得到较佳的EMI效果。
图37
图38
